目录
初识晶振
晶振工作原理
晶振的分类
晶振关键参数
无源晶振匹配电容计算
负载电容
频偏
晶振本身的制造误差，主要受设备精度影响。晶振在制造过程中因设备原因，通常会设定在一定频偏的误差范围下进行生产，所以晶体的频率和标称频谱会存在一定的偏差。
环境温度的变化，晶振的频率与环境温度也有关系，当环境温度发生变化时，晶振的频率也会发生相应的变化。这也是产品生产时关注生产车间温度恒定状况的一个重要因素。
电源电压的波动，晶体的频率与电源电压也有一定的关系，电源电压发生波动时，晶振的频率也会发生相应的变化。这个在产品的设计中，基本会提供稳定的电源电压，对晶振的选型基本没太大影响。
5 无源晶振匹配电容计算
匹配电容的计算公式为：
其中，
C1和C2是匹配电容；
CS是杂散电容（Stray Capacitance）,CS可以近似取3pF~5pF；
CL负载电容，一般由芯片直接提供；
C1和C2的电容相等。
案例分析：无源晶振的负载电容为18pF，匹配电容为多少比较合适？
答：CS取5pF,则C1=C2=2 *（18pF-5pF）=26pF，我们一般就近取22pF。
另外。晶振相关内容在后续文章中也会有详细介绍。
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