碳化硅（SiC）MOSFET技术的诞生标志着电力电子领域取得重大进步，可助力设计更为高效、紧凑和可靠的系统。SiC MOSFET取代了传统的硅器件，在提高开关频率的同时降低了开关损耗和导通损耗。
近日，Microchip专家发表了博文《mSiC™ MOSFET技术：卓越的性能和稳健性》通过剖析SiC MOSFET的优势，以及对相关性能测试结果的分析，对该技术进行了阐述。
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碳化硅（SiC）MOSFET技术的诞生标志着电力电子领域取得重大进步，可助力设计更为高效、紧凑和可靠的系统。SiC MOSFET取代了传统的硅器件，在提高开关频率的同时降低了开关损耗和导通损耗。
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