继三星在公布令人失望的Q3业绩并发表了一份冗长的道歉声明后，据证实，三星正在进行高强度的管理诊断（审计），以找出包括高带宽存储器（HBM）在内的半导体业务竞争力下降的原因。三星先进DRAM业务下滑，包括在争夺英伟达供应时被SK海力士和美光推出的第四代和第五代HBM（HBM3/HBM3E）超越，三星希望借此提供扭转局面的机会。
据悉，三星电子将在年底人事大洗牌期间大幅削减半导体部门高管人数，并对总裁级部门负责人阵容进行调整。三星还将提高亏损达数万亿韩元的半导体代工业务的效率，并重组半导体研究所这一未来技术开发组织。
半导体行业人士10月9日表示，三星电子最近在副董事长、设备解决方案（DS）部门负责人全永铉（Jeon Young-hyun）的指导下，开始致力于恢复半导体竞争力。去年5月被任命为三星芯片业务“救火队长”的全永铉10月8日宣布了未达到预期的第三季度临时业绩，并写了一份反思声明说：“我为强调恢复技术竞争力、充分准备未来和组织文化，提出了以改进为中心的腾飞计划。”
为此，三星电子已开始对其尖端存储半导体业务进行管理评估。目的是找出三星电子、SK海力士、美光等“三巨头”半导体公司中，只有三星无法向英伟达供应HBM3E的原因。通过管理层诊断，三星计划寻找方法来恢复HBM以及DDR5等通用DRAM产品的竞争力。
尖端通用产品的竞争力也受到质疑。最新标准的DDR5 DRAM和第五代10nm DRAM“D1B”就是这样的产品。这些产品预计将在管理诊断过程中进行改革，因为它们决定了用于服务器的DRAM和用于在电子设备中独立运行的设备上人工智能（AI）的DRAM的竞争力。一位半导体行业官员解释说，“三星的DRAM竞争力已经下降到需要进行高强度审核的地步……需要一个有转机的机会”。
三星电子还计划通过大规模人事变动来改革组织氛围。有消息称，该公司正在考虑一项计划，在年底人事变动期间大幅削减DS部门的高管人数。截至今年第二季度业绩报告，三星电子DS部门的高管人数为438人，占高管总数（1164人）的38%，这是SK海力士（199人）的两倍多。
三星在2017年和2018年半导体超级繁荣期间选拔大量高管，以及在发展系统半导体（不包括存储半导体的业务）的同时聘用多名代工厂和无晶圆厂高管，导致了这样的后果。即使在2022年和2023年，当三星的半导体竞争力开始受到质疑时，也没有出现明显的高管裁员。
但据报道，在三星内部和外部批评必须减少高管人数以提高组织效率后，该公司决定裁撤高管。预计，通过年底人事变动，五位总裁阵容将发生变化，其中包括DS事业部下属存储器、代工、系统LSI等三个事业部的负责人，以及首席技术官兼制造和技术经理。
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