近日,山西转型综改示范区入区企业山西烁科晶体有限公司(以下简称“烁科晶体”)成功研制出12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,属全球首发。同期,还研制成功12英寸(300mm)N型碳化硅单晶衬底。
烁科晶体位于山西转型综改示范区潇河新兴产业园区,是国内从事第三代半导体材料碳化硅生产和研发的领军企业。该企业始终聚焦国家重大战略科技需求,基于市场导向开展前瞻性基础技术研究,在技术创新、产业规模、产业链协同等方面均实现重要突破。
近年来,烁科晶体通过自主创新和自主研发,全面掌握了碳化硅生长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺,在国内率先完成高纯半绝缘碳化硅单晶衬底关键工艺技术攻关,先后攻克了大尺寸扩径工艺和低缺陷N型衬底的生长工艺,拥有碳化硅粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线。
此次12英寸碳化硅衬底的成功研制,能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积,大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下,显著提升产量,降低单位成本,进一步提升经济效益,为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。