9月10日，合盛硅业宣布，下属单位宁波合盛新材料有限公司（以下简称“合盛新材料”），于近期正式宣布8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通。这一里程碑式的成就标志着合盛新材料在第三代半导体材料领域取得了重大技术突破，全面跻身行业第一梯队。
经过五年的潜心研究与深入钻研，合盛新材料成功攻克了从高纯石墨纯化、碳化硅多晶粉料制备到单晶碳化硅生长、衬底加工等全流程的核心技术难关。自2023年起，公司聚焦市场需求，专项攻克8英寸导电型4H-SiC衬底技术，经过近两年的理论深化与技术迭代，现已实现高质量产品的稳定量产。
■ 8英寸衬底
■ 8英寸晶锭
该8英寸导电型4H-SiC衬底在多项关键性能指标上均展现出卓越优势。通过精密的工艺控制与技术创新，衬底的微管密度显著降低至0.05/cm²以下，确保了衬底的高纯度与高质量。同时，4H晶型面积比例达到100%，展现了极高的晶体完整性与稳定性。电阻率稳定在0.015-0.025Ω·cm之间，相对标准偏差小于4%，彰显了材料优异的性能。
在结晶质量与位错控制方面，合盛同样表现出色。通过高分辨X射线衍射测试，衬底的5点摇摆曲线半峰宽平均值小于30arcsec，表明其结晶质量达到了行业顶尖水平。此外，位错密度（TSD≤20/cm²，BPD≤200/cm²）表现优异，进一步提升了衬底的可靠性与应用潜力。
加工能力方面，合盛新材料已具备生产500μm和350μm厚度8英寸衬底的成熟工艺，产品面型数据（LTV≤2μm，TTV≤5μm，BOW：-15μm～15μm，Warp≤30μm）均达到国际先进水平，满足了高端电子器件对衬底平整度的严苛要求。同时，公司严格控制衬底表面金属离子浓度≤5E10 atoms/cm²，确保产品符合国内外客户对表面质量的高标准要求。
在外延工艺验证中，采用合盛8英寸衬底生产的外延片表现出色，膜厚均匀性与掺杂均匀性均高于行业平均水平，致命缺陷密度低于0.3颗/cm²，可用面积超过99%，充分证明了合盛在半导体材料领域的强大实力与技术创新能力。
合盛硅业表示，8英寸导电型4H-SiC衬底的全线贯通，不仅为合盛自身发展注入了强劲动力，更为全球半导体产业的高质量发展提供了有力支撑。未来，合盛新材料将继续秉承创新驱动发展战略，深耕半导体材料领域，为推动全球科技进步贡献更多“中国智慧”与“中国力量”。
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