一、项目简介

四川省宽带微波电路高密度集成工程研究中心由四川省发展和改革委员会批准设立。为了加快推进宽带微波共性基础与关键技术突破，加快科技成果的工程化开发和转化，培养高水平的工程技术人才，更好的服务于四川省乃至我国电子信息产业与电子装备发展设立基金指南项目。

项目分为指南征集与发布、项目申报与立项、项目实施、项目验收四个阶段，研究周期不超过2年，研究经费不超过40万/项。项目结题需发表EI及以上高水平论文不少于1篇，申请专利不少于1项,论文需标注受“四川省宽带微波电路高密度集成工程研究中心（英文名Sichuan Province Engineering Research Center for Broadband Microwave Circuit High Density Integration）资助”，项目成果归本中心及申请者共有。

二、指南条目

（一）BMERC004- 2024-01：毫米波/太赫兹晶圆级集成微系统关键技术研究

研究内容与目标：围绕THz通信对小型化高性能毫米波阵列需求，针对毫米波/太赫兹频段晶圆级封装在集成工艺、拓扑、实现等方面挑战，开展晶圆级微系统三维异构集成工艺与架构、晶圆级多阵元拓扑优化、晶圆级封装微系统集成实现等关键技术研究，探索有源收发与辐射单元晶圆级微系统集成关键技术路径，形成针对毫米波/太赫兹频段晶圆级封装微系统研究思路，建立数字化样机模型并对关键技术加以验证。

牵引性指标：

1、封装形式：晶圆级封装；

2、工作频段：220GHz；

3、工作带宽：≥10GHz；

4、单元规模：≥8×8；

5、接收噪声：小于9dB；

6、单元发射功率：大于0dBm。

成果形式：技术研究报告不少于1份，申请专利不少于1项，发表EI及以上高水平论文不少于1篇，数字样机模型1套（含三维实体模型与仿真模型）。

研究经费：不超过30万元。

研究周期：2年。

（二）BMERC004- 2024-02：宽带有源可调超表面低散射天线罩技术

研究内容与目标：围绕电子信息系统中传感器和高频部件强散射源天线系统散射控制需求，开展宽带有源可调超表面低散射天线罩技术研究，突破宽频段宽角度高透波频率选择表面综合优化设计、大带宽可调频率选择表面有源器件加载适配及低时延天线罩通/隐高速切换任务匹配等关键技术，构建反射/散射、透射状态可切换天线罩样机仿真模型开展验证，支撑天线系统散射可调控方案设计。

牵引性指标：

1、频段：8GHz~12GHz；

2、切换时间：≤25ms；

3、通带透波率：≥85%(8GHz~12GHz，可调带宽内)；

4、阻带抑制：≥15dB(8GHz~12GHz，可调带宽外)；

5、瞬时带宽：≥500MHz。

成果形式：技术研究报告不少于1份，申请专利不少于1项，发表EI及以上高水平论文不少于1篇，仿真模型1套。

研究经费：不超过20万元。

研究周期：1年。

（三）BMERC004- 2024-03：高线性双频并发射频功率放大技术研究

研究内容与目标：针对电子装备对双频同时干扰需求，以及现有功率放大器技术难以同时在两个载波并发激励下高效工作的问题，开展双频并发射频功率放大器在两载波并发激励下性能劣化的机理研究，建立双频并发射频功率放大器的理论模型，突破双频并发约束下功率放大器的效率提升与带外杂散抑制等关键技术，提出新的双频并发功率放大器架构与设计方法，在关键性能指标上实现对传统架构的超越。  

牵引性指标：

1、低频段工作频率：1.1~1.6GHz；

2、高频段工作频率：2.4~2.6GHz；

3、饱和输出功率≥50W（单载波）；

4、双频并发三阶交调≤-15dBc（高低频段各1个载波，两载波总功率≥30W）；

5、双频并发效率≥40%（高低频段各1个载波，两载波总功率≥30W）。

成果形式：技术研究报告不少于1份，申请专利不少于1项，发表EI及以上论文不少于1篇，原理样机1套。

研究经费：不超过20万元。

研究周期：2年。

（四）BMERC004- 2024-04：超宽带单片集成巴伦芯片关键技术研究

研究内容与目标：围绕宽带阵列波束形成网络小型化需求，开展超宽带芯片化集成巴伦芯片设计研究，通过对巴伦器件在超宽带工作下幅相特性进行平衡补偿，研究补偿网络拓扑结构，定量分析补偿网络拓扑对系统非线性、阻抗匹配和信号失真的影响。利用数学模型来描述和预测补偿网络在不同工作状态下的行为表现，通过理论计算或实验来评估其性能效果。基于耦合模型或分布模型的等耦合线建模方法，利用理论模型和电磁仿真工具，深入研究补偿网络的拓扑结构对信号传播的影响，突破超宽带芯片巴伦电路建模、参数提取、等效电路分析等关键技术。形成从10MHz到Ka频段的超宽带单片巴伦芯片的原型拓扑设计与参数优化方法，为宽带射频阵列高密度集成提供有效支撑。

牵引性指标：

1、工作频率：10MHz~32GHz；

2、幅度平衡度：＜0.5dB；

3、相位平衡度：＜5°；

4、插入损耗：≤8dB（典型值5dB）@1~20GHz；

5、共模抑制：＞20dB；

6、回波损耗：＜-10dB。

成果形式：技术研究报告不少于1份，申请专利不少于1项，发表EI及以上高水平论文不少于1篇，仿真设计文件1套。

研究经费：不超过20万元。

研究周期：2年。

（五）BMERC004- 2024-05：曲面阵列天线测试方向图分析与校正技术

研究内容与目标：围绕曲面阵列天线因单元朝向各异、相位中心难以对准导致的方向图测试问题，开展曲面阵列天线方向图测试及校准方法的研究，突破校准方法的数学物理模型建立，形成校正算法代码，作为曲面阵列天线方向图后处理数据通用方法，为曲面阵列天线方向图结果分析不准提供解决途径。

牵引性指标：

1、单元天线幅度方向图校正结果与全波仿真结果误差优于±0.5dB，相位优于±10°(3dB波束宽度内)；

2、32元S/C波段曲面阵列合成方向图性能与仿真结果对比，幅度误差优于±0.5dB，相位误差优于±8°(3dB波束宽度内)。

成果形式：技术研究报告不少于1份，发表EI及以上高水平论文不少于1篇，申请专利不少于1项，校正方法及算法代码1套。

研究经费：不超过20万元。

研究周期：2年。

（六）BMERC004- 2024-06：可调热膨胀系数金刚石热沉制造技术

研究内容与目标：本项目针对大功率射频芯片应用散热瓶颈，开展低成本金刚石材料制备及成型、金刚石材料热膨胀系数调控机理及金刚石热沉功率芯片集成验证研究，突破兼顾大尺寸高产能金刚石制备、热膨胀系数调控等关键技术，研发具有可调控热膨胀系数、超高导热率、低成本的高适应性金刚石热沉制造技术。

牵引性指标：

1、导热率不小于800W/m·K；

2、热胀系数3~6ppm/℃可调节；

3、抗弯强度≥800MPa；

4、镀层兼容芯片低温焊料钎焊（SnPb、AuSn）；

5、热沉尺寸不小于面积10×15mm，厚度0.5~2mm；

6、批量生产片径不小于60mm。

成果形式：技术研究报告不少于1份，申请专利不少于1项，发表E1及以上高水平论文不少于1篇，样件50件（尺寸10×15×1mm，表面镀金0.5~1μm，热膨胀系数约5ppm/℃）。

研究经费：不超过20万元。

研究周期：1年。

（七）BMERC004- 2024-07：面向三维堆叠射频SiP的低残留软钎焊关键技术

研究内容与目标：围绕射频阵列中SiP低剖面、高集成度的应用需求，针对气密封装射频SiP内钎料凸点堆叠焊接后受限结构助焊剂残留问题，开展国产高活性易水洗助焊剂、钎料凸点堆叠焊接与封装低间隙内残留物清洗等研究，突破低残留水溶性助焊剂配方设计、适用于射频SiP的高洗净清洗设备设计等关键技术，完成射频三维SiP软钎焊关键技术验证，支撑新型射频三维SiP产品研制生产。

牵引性指标：

1、助焊剂卤素含量：≤0.05%；

2、助焊剂铜镜腐蚀：无穿透性腐蚀；

3、焊料扩展率：无铅焊料SAC305≥75%；

4、锡球剪切强度：≥16.54MPa（SAC305焊球，直径0.35mm焊盘） ；

5、水基溶剂清洗后离子残留浓度：≤1.56ug（NaCl）/cm²。

成果形式：技术研究报告不少于1份，发表EI及以上论文不少以1篇，申请专利不少于1项，助焊剂样品100g。

研究经费：不超过20万元。

研究周期：2年。

（八）BMERC004- 2024-08：微波基板缺陷智能化检测技术

研究内容与目标：围绕多品种微波组件高质量、自动化、柔性化制造需求，针对传统自动检测技术扩展性差，环境影响敏感，难以适应自动化产线微波基板类来料种类繁多、缺陷模式多样下的高效检测问题，开展缺陷特征自适应成像和采集技术、面向缺陷样本有效性与均衡性的数据增强技术、基于人工智能的高精度快速缺陷检测算法等研究，突破微波基板缺陷智能化准确高效识别与定位技术、自动化检测集成技术等关键技术，形成整合的具备自学习和可迁移能力的智能检测系统，完成微波组件产线的集成应用验证。

牵引性指标：

1、识别对象尺寸长宽最大可至15×22mm，厚度介于0.1mm至2mm之间；

2、单片基板含正反面的识别时间≤100ms；

3、单片基板处理总时间不高于1片/s；

4、漏检率不高于1%。

成果形式：技术研究报告不少于1篇，发表EI及以上论文不少于1篇，申请专利不少于1项，申请软件著作权不少于1项，原理样机1套（含软硬件、软件工程文件、源代码、接口规范）。

研究经费：不超过30万元。

研究周期：2年。

（九）BMERC004- 2024-09：金刚石基p-n结二极管关键技术研究

研究内容与目标：围绕未来电子设备对下一代半导体器件高响应频率、高击穿电场、高热导率、高抗辐射强度的需求，针对金刚石基半导体掺杂、载流子激活和工艺制备等技术难题，开展单晶金刚石上双极性载流子调制技术和缺陷抑制技术研究，掌握半导体功能层厚度及掺杂浓度对二极管特性的影响规律，突破p型欧姆接触和n型欧姆接触制备技术，制得金刚石基p-n结二极管并表征其特性。

牵引性指标：

1、n型掺杂金刚石单晶，原子掺杂浓度大于5×10¹⁹cm^-3；室温电子浓度大于2×10¹⁸cm^-3；电阻率小于5Ω·cm；

2、p型和n型掺杂载流子迁移率≥100cm²/(V·s)；

3、p型和n型欧姆接触电阻率≤50Ω·mm；

4、p-n结二极管正向导通电压≥0.5V，反向击穿电压≥100V，整流比≥10⁵。

成果形式：技术研究报告不少于1篇，发表EI及以上论文不少于2篇，申请专利不少于1项，金刚石p-n结二极管样品≥1片。

研究经费：不超过30万元。

研究周期：2年。

（十）BMERC004- 2024-10：铁氧体微波器件的非线性响应机理研究

研究内容与目标：针对大功率环境下铁氧体器材非线性响应对于系统指标影响的问题，开展铁氧体微波器件非线性效应的产生机理、新型等效拓扑结构等技术研究，突破铁氧体器件非线性特性准确预测、微波信号幅度自适应调控方法等关键技术，建立相应计算方法与仿真模型,为提升系统指标提供新的技术途径。

牵引性指标：

1、小信号输入时插损预测误差≤10%（与典型商业软件对比）；
2、产生非线性效应最小功率的预测误差≤15%；
3、工作频率范围预测误差≤10%；

4、微波信号幅度自动调控范围≥10dB。

成果形式：技术研究报告不少于1份，发表EI及以上论文不少于1篇，申请专利不少于1项，仿真模型1套，原理样机1套。

研究经费：不超过20万元。

研究周期：2年。

（十一）BMERC004- 2024-11：高平坦度集总参数有耗滤波器综合技术

研究内容与目标：围绕射频前端对高平坦度无源带通滤波器需求，针对集总参数滤波器品质因数低引起的通带平坦度恶化问题，开展高平坦度集总参数有耗滤波器综合技术研究，突破有耗滤波器传输函数获取、耦合矩阵综合、拓扑结构生成等关键技术，研制综合算法并形成应用软件，实现对给定指标滤波器的快速综合，获得具有高平坦度特性的平面RLC无源带通滤波器电路拓扑及电路元件值，为低品质因数条件下高平坦度滤波器设计提供支撑。

牵引性指标：

1、电感Q值10~30，电容Q值50~100（输入值）；

2、通带平坦度提升：≥30%（与相同条件下传统综合方法相比）；

3、通带中心频率0.1GHz~18GHz；

4、1dB相对带宽≥10%；

5、驻波系数≤1.7；

6、滤波器阶数：3阶~9阶；

7、可自由配置传输零点数≥2；

8、同种滤波器参数可生成电路拓扑≥2种；

9、典型综合时间≤2分钟。

成果形式：技术研究报告不少于1份，发表EI及以上论文不少于1篇，申请专利不少于1项，高平坦度集总参数有耗滤波器综合算法及应用软件（软件，含源代码）。

研究经费：不超过20万元。

研究周期：1年。

（十二）BMERC004- 2024-12：多芯片异构集成互联设计方法研究与应用

研究内容与目标：围绕毫米波频段多芯片异构集成系统中的芯片互联及封装需求，针对毫米波频段芯片系统中互联性能不佳的问题，开展基于新型传输线平台的低损耗高集成度的自封装多芯片互连以及异构集成系统的研究，突破毫米波平面传输线低损耗传输、芯片互连及封装融合设计等关键技术，有效降低传输及互连损耗，实现高性能高集成度的毫米波多芯片异构集成系统。

牵引性指标：

1、平面互联损耗及频率带宽：实测值≤0.006 dB/mm, 同时覆盖DC ~ 40 GHz;
2、垂直互联损耗：实测值≤0.1 dB，同时覆盖26.5 ~ 40 GHz;
3、电路结构及芯片封装：多层平面形式，实现芯片及系统自封装;
4、系统集成验证：实现1套宽带接收前端系统，集成芯片数量≥5。

成果形式：技术研究报告不少于1份，发表EI及以上论文不少于1篇，申请专利不少于1项，原理样机1套。

研究经费：不超过20万元。

研究周期：1年。

三、申报须知

1、项目名称一般与指南条目名称一致，在明确的研究经费指标限额内合理测算经费需求。项目建议书应提出可考核可验证的研究成果，并满足相应牵引性指标。

2、受理的项目申报书通过形式审查后，将组织专家现场评议。现场评议时，一般采用播放带录音讲解视频方式，由申报团队负责人现场/线上答疑。对同一指南条目申报数量较多的，视情在现场答辩前安排书面评议，遴选部分论证质量相对较高的项目参加现场答辩。

3、每项指南原则上只支持1个团队独立研究。

四、申请人基本条件

申请人为国内高等学校科研人员,具有副高及以上职称,在相关技术方向已积累良好的前期基础，原则上不接受联合申报。

五、材料申报和受理

1.申报单位向中心提交申报书电子版，联系人：高老师，028-87551412，18708108217，邮箱gaoyang8@cetc.com.cn。项目申报书须由项目申报负责人亲自签名，申报单位须加盖公章。

2.  本此次受理截止时间为2024年11月18日。

3.  申报单位需对项目建议书内容的真实性进行审核，对申报材料内容负责。

4.  申报材料不得涉及国家秘密。

六、材料格式要求

1.电子版建议书及带录音讲解汇报视频。每个项目建1个文件夹，文件夹命名方式：指南条目编号-单位名称-项目负责人（示例：BMERC004- 2024-XX-XX大学-张三），内包含申报书（word与pdf电子版，pdf电子版封面需加盖学校章、项目负责人签字）以及7分钟以内带录音讲解视频（mp4格式）。

2.项目申报书参考有关模板（见附件）组织拟制。

附件：项目立项建议书模板（请扫描下方二维码获取，提取码【1030】）

来源：四川省宽带微波电路高密度集成工程研究中心