超宽带隙半导体
特刊简介：
在半导体技术领域，继氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)之后，氧化镓(Ga2O3)、氮化铝(AlN)、金刚石以及氮化硼(BN)等超宽带隙半导体材料逐渐崭露头角。这些材料以其显著的带隙宽度、卓越的热稳定性和出色的载流子迁移率等特性，为科技的未来发展和新兴技术的突破提供了坚实的基础。
超宽带隙半导体的研究领域涵盖了基础物理、晶体生长和器件应用等多个层面，充满了探索的空间。深入理解这些材料的属性和作用机制，基础物理的研究至关重要。通过将先进的表征技术与理论模型相结合，我们可以揭示出许多引人入胜的现象及其背后的规律，为器件设计的进一步优化或创新提供坚实的科学支撑。晶体生长技术的研究对于提升器件性能、降低成本以及推动相关领域的发展具有决定性的影响。通过精确控制生长条件和工艺流程，可以培育出高质量的单晶薄膜或块状晶体。在器件应用方面，超宽带隙半导体在光电器件、电力电子器件和高频微波器件等领域展现出广泛的应用前景。例如，在光电器件领域，氧化镓有助于开发出更高效率、更灵敏的光电探测器；氮化铝则能够实现高效的紫外LED。在电力电子器件领域，金刚石的应用有助于改善散热性能和增强机械强度；氧化镓则可用于制造具有更高耐压和耐高温特性的电子器件。同时，氮化硼以其更大的带隙和更佳的热稳定性，在多种应用场景中展现出巨大的潜力和光明的前景。
本期以"超宽带隙半导体"为主题的特刊，全面概述该领域所取得的最新进展，并深入探讨面临的科学和技术挑战。它不仅展示半导体材料技术的最新创新成果，也为我们揭示了这一领域未来的发展趋势。
投稿截止日期：2024年11月30日
投稿须知：
https://link.springer.com/journal/11734/submission-guidelines
客座编辑：
郑伟：中山大学材料学院副教授，博士生导师。主持8项国家、省部级项目，包括广东省杰青、国自然面上、航天科技创新基金、重点研发计划课题等。主要研究方向为：超宽禁带半导体中的光谱物理、晶体生长，以及基于超宽禁带半导体的真空紫外、极紫外探测器件。截至2024年7月，以第一作者/通讯作者作发表124篇SCI论文，IF>10的22篇，其中1篇论文入选ESI热点论文，6篇论文入选ESI高被引论文。担任《PhotoniX》期刊编辑。
郭道友：浙江理工大学特聘教授/博导，入选省级青年人才项目，获北京市自然科学奖二等奖等。一直从事超宽禁带氧化物半导体氧化镓材料与器件的研究，以第一作者/通讯作者在ACS Nano、Phys. Rev. Appl.、Appl. Phys. Lett.等刊物上发表SCI论文90余篇，入选ESI高被引论文14篇、ESI热点论文3篇，被引用8000余次，个人H因子47，入选爱思唯尔中国高被引学者。
袁冶：松山湖材料实验室副研究员，于德累斯顿工业大学获凝聚态物理学博士学位，致力于氮化物材料与器件的制备与物理性质研究工作，共发表SCI论文110篇，授权国家发明专利22项，获伦敦发明展金奖等各类国内外奖项共计5项；主持国家自然科学基金面上项目等国家、省、市、企业类项目共计9项，受邀欧洲材料年会等著名国际会议邀请报告4次。
期刊简介：
CiteScore (2023): 5.1
European Physical Journal - Special Topics (EPJ ST) 是一本采用单盲同行评议的混合型期刊（OA模式/订阅模式），致力于发表专题热点问题——要么是综述型文章的集合，要么是来自研究团队的广泛、详细的进展报告。每期文章都聚焦于一个特定的主题。
期刊研究领域涵盖了纯物理学和应用物理学，包括材料科学、物理生物学、物理化学和复杂系统等相关学科，特别强调物理学和相关领域的跨学科主题。
https://epjst.epj.org/
成为客座编辑 特刊 (Special Issue) 是增加高质量文章内容和扩大期刊读者群的有效工具，是期刊正式出版内容的一部分。 客座主编 (Guest Editor) 是期刊创办特刊时设置的临时职能，属于典型的学术任职，不仅体现了学术界对个人学术成就、声望和影响力的认可，而且能够展示客座编辑的领导组织能力和推广能力。 担任客座编辑可以为您带来一系列益处，包括但不限于: - 为所在的研究领域创建一个成果汇集与持续交流的平台; - 在专业团队支持下了解出版流程，获得编辑经验; - 强化与领域内专家学者的联系网络，提升在领域内的个人与学术影响力; - 获得所在机构/组织的认可，助力未来职业发展。 我们诚挚的邀请您担任客座编辑，如有兴趣，请将您的议题和内容通过邮件发送至： terry.zhang@edpsciences.org |
