准二维钙钛矿系列中，PEA₂(FA₀.₇Cs₀.₃)ₙ₋₁PbnBr₃ₙ₊₁（n = 2, 3, …, ∞），由于其自对准的混合相多量子阱结构，已成为下一代钙钛矿发光二极管（PeLEDs）中高效的发射层。与体钙钛矿相比，这种结构促进了能量从低n相到高n相的高效传输。然而，尽管具备有利的能量传输特性，准二维钙钛矿仍然面临效率和稳定性问题。在准二维钙钛矿薄膜的形成过程中，内部缺陷的产生以及低n相区域在内部相分布中的主导存在，使其易受到外部环境条件的影响，这对稳定性至关重要。
在此，首尔科技大学Il-Kyu Park等人提出了一种方法，通过引入甲脒三氟甲磺酸盐（FA-Triflate）来同时提高准二维钙钛矿的发射效率和稳定性。FA-Triflate有效抑制了低n相的形成，钝化了内在缺陷，并通过提高疏水性增强了对湿气的抵抗力。该方法将准二维钙钛矿薄膜的光致发光量子产率从52.2%提高至70.4%。经过FA-Triflate处理的准二维钙钛矿PeLEDs，其外部量子效率从6.4%提高到16.6%，同时器件寿命延长了超过3000%。
这些研究结果表明，FA-Triflate处理显著提高了准二维钙钛矿薄膜的整体发射效率和稳定性，具有重要的光电应用前景。
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