【DT新材料】获悉，近日，半导体专用光刻胶领域实现突破。武汉太紫微光电科技有限公司（下简称“太紫微公司”）推出的T150 A光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。
该产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内称之为“妖胶”的国外同系列产品UV1610，T150 A在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120nm，且工艺宽容度更大，稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀，其对后道刻蚀工艺表现更为友好，通过验证发现T150 A中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。
光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中最核心的工艺，光刻胶是光刻工艺环节需要使用的一种非常关键的材料。
太紫微公司成立于2024年5月，由华中科技大学武汉光电国家研究中心团队创立，团队立足于关键光刻胶底层技术研发。据企业负责人、华中科技大学教授朱明强表示：“以原材料的开发为起点，最终获得具有自主知识产权的配方技术，这只是个开始，我们团队还会发展一系列应用于不同场景下的KrF与ArF光刻胶，为国内相关产业带来更多惊喜。”
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