成均馆大学AEL详细解读:倒置钙钛矿太阳能电池中的LiF:偶极子还是掺杂?

文摘   科学   2024-10-13 07:58   河南  


最近,倒置钙钛矿太阳能电池(iPSCs)因其作为串联光伏中的顶层电池应用而受到广泛关注,导致其效率和稳定性都有显著提升。在多种改进策略中,在钙钛矿顶表面沉积氟化锂(LiF)成为提高 iPSCs 功率转换效率(PCE)的重要环节。

然而,LiF 的钝化机制仍然未完全理解。例如,已知 LiF 通过形成偶极层来钝化钙钛矿表面,从而增加光生载流子提取的驱动力,并抑制非辐射复合。Li+ 阳离子以其在钙钛矿晶格中扩散的倾向而著称,因此,偶极中间层可能无法维持。成均馆大学Jin-Wook Lee等人制造了具有宽带隙的 iPSCs,结构为 ITO/2PACz/FA0.91Cs0.09PbI2.3Br0.7/LiF/C60/BCP/Ag。与未使用 LiF 的器件相比,沉积 LiF 层提高了 PCE,并增强了开路电压(VOC)和填充因子(FF)(图 1a 和 S1)。在氮气气氛下的黑暗条件下储存 LiF 处理的器件时,性能增强表现出一定的可重复趋势。在存储约 50 小时后,FF 在长达 1,000 小时的延长老化过程中几乎保持其饱和值(图 1b 和 S2)。另一方面,短路电流密度(JSC)和 VOC 几乎未发生变化。


进行了飞行时间二次离子质谱(ToF-SIMS)分析,以研究老化时间对离子分布变化的影响。在新设备中,C60/钙钛矿界面检测到大部分的 Li+ 和 F– 离子(图 1d,f)。对于老化后的设备,大量的 Li+ 离子渗透到钙钛矿层中,而 F– 离子仍然保持在界面(图 1e,g)。还测量了器件中钙钛矿层的 X 射线衍射(XRD)图谱,以检查 Li+ 离子重分布的影响(图 1c)。如图 S3 和表 S1 所示,钙钛矿的 (100) 峰以及其他所有平面在老化后向较低角度移动,表明晶格膨胀,而与 ITO 和银相关的峰在整个老化过程中保持不变。进一步的老化对峰位几乎没有影响。锂离子通过占据间隙位移入钙钛矿可能是导致晶格膨胀的原因。因此,在钙钛矿顶部表面附近的 Li+ 间隙占据与老化引起的填充因子的改善有关。

采用高分辨率横截面开尔文探针力显微镜(KPFM)验证了通过间隙 Li+ 掺杂引起的器件带结构变化。在新设备中,C60/LiF/钙钛矿界面观察到陡峭的功函数梯度,表明形成了狭窄的耗尽区(图 2a–c)。随着老化的进行,钙钛矿顶部界面的功函数负移,形成了更宽的耗尽区(约 150 nm;图 2d–f)。在没有 LiF 的老化设备中未观察到功函数梯度的扩展(图 S4),这表明间隙 Li+ 的掺入在钙钛矿顶部表面附近诱导了 n 型掺杂。靠近后界面的耗尽区的扩展将为光生电子提取提供驱动力,特别是在开路条件或最大功率点(MPP)附近,此时内建电场被施加的偏置补偿(图 S5 和 S6 及补充说明 1)。通过稳态光致发光(PL)和时间分辨光致发光(TRPL)测量证明了随着老化引起的掺杂改善了载流子提取,其中观察到 LiF 夹杂设备的 PL 强度降低且 PL 衰减加快(图 S7 和表 S2)。然而,在相同老化条件下,没有 LiF 的设备未观察到这一趋势。在图 S8 中,使用泊松方程计算了在恒定光照下,基于接触电位差(CPD)测量的累积载流子密度(补充说明 2,图 S9)。在新设备中,钙钛矿/空穴传输层界面附近形成的滞留电荷暗示了光生电子收集受到阻碍,这是由于电子提取界面处耗尽区较短所导致的。相反,在老化设备中,由于间隙 Li+ 掺杂在光照短路操作过程中在 C60/LiF/钙钛矿界面周围诱导了有利的电场,因此未观察到滞留电荷(图 S10)。

当 Li+ 向下层钙钛矿层迁移时,F– 大部分保留在钙钛矿表面。为了检查 F– 的影响,进行了表面开尔文探针力显微镜(KPFM)测量(图 S11)。没有 LiF 的钙钛矿表面 CPD 分布相对不均匀,这可能受到局部扭曲表面电势的多种带电缺陷位点的影响。引入 LiF 使 CPD 分布更加均匀,这表明现有缺陷可能通过 F– 离子得到钝化。为了进一步验证钝化效应,进行了脉冲空间电荷限制电流(SCLC)测量。测量了器件的陷阱填充限制电压以计算陷阱密度(ntrap;图 2g、S12 和 S13)。与没有 LiF 的样品(7.70 × 10^15 cm–3)相比,经过 LiF 处理的样品显示出相对较低的 ntrap 为 6.35 × 10^15 cm–3,证明了 LiF 对缺陷的钝化。这可以解释为 F– 在表面钝化的结果,而扩散的间隙 Li+ 则钝化了体缺陷(固定卤素),这一点通过钙钛矿薄膜随老化增强的 PL 强度进一步验证(图 S14)。
此外,研究了温度依赖电导率,以定量比较没有 LiF 和含 LiF 的离子迁移现象。通过 Nernst–Einstein 方程计算了离子迁移的激活能(Ea),结果显示通过 LiF 沉积,Ea 从 0.113 eV 增加到 0.140 eV(图 2h)。进一步进行了原位光致发光(PL)测量,以可视化离子迁移对 PL 信号的影响。在施加偏压的情况下,未含 LiF 的薄膜中观察到显著的 PL 撤消,原因是局部化学计量变化和/或钙钛矿晶格破裂。(12)相比之下,含有 LiF 层时 PL 信号几乎没有变化,支持了 LiF 能抑制离子扩散和相分离的能力(图 2i)。
总之,iPSC 中的 LiF 中间层通过 Li+ 的间隙掺入诱导了分级后表面电场,这与之前提出的由偶极子引起的钝化场景相反。对工作机制的清晰理解应有助于进一步优化钙钛矿太阳能电池的表面和界面工程。

LiF in Inverted Perovskite Solar Cells: Dipole or Doping?

Seung-Gu Choi, Sung-Kwang Jung, Joo-Hong Lee, Jae-Hwan Kim, Wenting Zheng, and Jin-Wook Lee

ACS Energy Letters 0, 9

DOI: 10.1021/acsenergylett.4c02000

https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsenergylett.4c02000



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