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早在上世纪70年代，苏联时期就已掌握EUV照相光刻技术，这一技术成就为俄罗斯在光刻机领域奠定了一定的基础。
俄罗斯科学院及其他科研机构在后续的发展中，也在EUV光源技术等方面持续发力，为光刻机技术的发展贡献了重要力量。
但苏联解体后的经济困境、技术人才流失以及西方国家的技术封锁，犹如重重枷锁，严重制约了俄罗斯光刻机技术的产业化发展。
俄罗斯的光刻机技术更多停留在实验室阶段，难以实现大规模的商业应用和产业转化，在全球光刻机市场竞争中处于劣势。
不过，目前俄罗斯已经制定了一份“路线图”，计划开发一种更便宜、更高效的光刻设备，用于生产现代化芯片，这种设备将优于目前由荷兰ASML公司垄断市场的光刻机。
根据俄罗斯科学院微结构物理研究所（ИФМ РАН）科研人员尼古拉·奇哈洛的“高性能X射线光刻发展新概念”，俄罗斯选择不完全复制ASML的技术路线，而是开发工作波长为11.2纳米的新型光刻设备，以降低研发成本并简化制造流程。
“曙光”初现，成功推出350nm光刻机
多年来，通过国家实验室和科研机构的支持，俄罗斯光刻设备制造企业通过不断攻克关键技术难题，逐步实现了一系列突破。
2022年，俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所 (IPF RAS)宣布，正在开发俄罗斯首套半导体光刻设备，并对外夸下海口：这套光刻机能够使用7nm生产芯片，可于2028年全面投产。
当时，IPF RAS计划在六年内打造出俄罗斯自产7nm光刻机的工业样机，2024 年将创建一台“Alpha机器”，2026创建"测试机"，2026-2028年俄罗斯本土光刻机将获得更强大的辐射源，改进的定位和进给系统，并将开始全面的工作，2028年，这些设备全面运行。
时隔两年，俄罗斯虽然距离2028年自产7nm光刻机的“海口”距离尚远，但这一承诺已初现曙光。2024年5月，俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里·什帕克（Vasily Shpak）证实，第一台能生产最大350nm（行业惯称0.35μm）芯片的光刻机已成功组装并进入测试阶段，标志着俄罗斯在芯片制造领域取得实质性突破。
俄罗斯接下来的目标是在2026年制造可以支持130nm工艺的光刻机。再下一步，俄罗斯将继续逐步向90nm及以下迈进。
独特的技术路线
俄罗斯开发工作波长为11.2nm的新型光刻设备，与ASML的13.5nm波长有所区别。虽然都处于极紫外线光谱范围，但这一细微调整带来了广泛影响。从反射镜到涂层、从光罩设计到光阻剂选择，所有光学组件和材料都需定制设计和优化处理。
并且，传统光刻技术依赖定制光掩膜获取图像（如ASML的EUV光刻机），而俄罗斯自研的EUV光刻机无需光掩膜即可直写光刻。这一特性无论是在经济成本还是时间成本方面都具备明显优势。
俄罗斯其光刻机可使用的硅基光阻剂，在较短波长下预计能带来更好的性能表现，进一步提升了光刻机的工作效率和质量。
其他巨头目前光刻机情况
首先，荷兰的ASML公司是全球最大的光刻机制造商，拥有最先进的EUV(极紫外)光刻机技术。ASML的EUV光刻机被认为是全球最先进的光刻机，是制造7纳米及以下制程芯片的关键设备。
其次，日本的佳能(Canon)和尼康(Nikon)公司也是光刻机领域的佼佼者。这两家公司分别专注于生产用于生产先进逻辑芯片的光刻机和用于生产先进存储芯片的光刻机。
佳能和尼康的光刻机技术虽然没有ASML的先进，但在全球范围内仍然具有较高的市场份额。
再次，韩国的斗山(Doosan)和海力士(Hynix)公司也拥有一定的光刻机技术。韩国在半导体制造领域的发展迅速，斗山和海力士的光刻机技术在全球范围内具有一定的竞争力。
最后，中国是世界上最大的半导体消费市场，中国大陆的许多企业，如中芯国际和长江存储等，也在积极研发光刻机技术。
尽管中国在光刻机领域与全球先进水平尚有一定差距，但中国政府和企业正在加大投入，努力追赶国际先进水平。
结尾：
总体而言，俄罗斯这一光刻机的研发方向在技术上具有一定的创新性，若能克服各项挑战，真的在X射线光刻技术上取得突破，将可能重写全球半导体产业的竞争态势。
未来，俄罗斯有望在全球芯片制造竞争中占据一席之地，成为新兴市场的重要参赛者。俄罗斯绕开ASML的技术钳制，对于我国半导体产业的发展也是一个启发。
内容来源于：企鹅号 - 知享家：荷日韩中争锋：全球光刻机产业格局揭秘；EETOP：俄罗斯放话：击败ASML ! 俄制高性能光刻机路线图曝光!；搜狐：俄自研EUV光刻机，打破ASML垄断，走出了一条新路；半导体行业观察：俄罗斯，死磕光刻机
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