AI浪潮汹涌，HBM需求持续激增，英伟达(NVIDIA)、台积电(TSMC)和SK海力士(Hynix)合力推动全球HBM发展的作用愈发显著，被业界称为“三角联盟”。甫入11月，三巨头互动频繁，在协作上显然加快了速度。
先是SK集团透露英伟达CEO要求其将HBM4的供应提前6个月，SK海力士股价应声大涨；两天后，市场传出英伟达同意调涨台积电3nm与CoWoS封装价格的消息。结合SK海力士、台积电今年4月签署谅解备忘录一事，“存储原厂+AI霸主+晶圆厂”的通力合作，一切都是为了HBM4的更快到来。
着急的黄仁勋，加速的HBM4
尽管首款HBM3E的发布还不足一年，但是各大厂商未雨绸缪，已将新一代高带宽内存HBM4提上了日程。相比HBM3E，HBM4提供双倍通道宽度，数据传输速度和性能均有显著提升。HBM3E堆叠了12个DRAM芯片，支持24GB和32GB的容量，而HBM4可以堆叠16个DRAM芯片，支持64GB容量。
韩国SK集团会长崔泰源4日在“SK AI Summit 2024”发表主题演讲时，强调与台积电和英伟达的三方合作关系，表示将与两家芯片巨头携手打造全球人工智能芯片产业供应链，共同克服AI发展过程的瓶颈。活动中，台积电董事长魏哲家、英伟达CEO黄仁勋也在预先录制的视频中发表贺词，黄仁勋更是大赞SK海力士的HBM，称其使“超级摩尔定律”（super Moore's Law）成为可能。
图/SK集团会长崔泰源
峰会上，崔泰源还介绍SK海力士计划2025下半年推出首批12层堆叠的HBM4，16层堆叠的HBM4将会在2026年推出。但另一方面，崔泰源透露“黄仁勋在最近的一次会议上要求SK海力士提前6个月供应HBM4”的消息，或有公开喊话英伟达给予更多支持的意思。
一石激起千层浪。SK海力士自今年3月开始为英伟达供应第五代HBM产品(HBM3E)开始，就一直保持领先业界的研发速度。HBM的历史发展与技术趋势无需赘言，而SK海力士依托HBM对市场形成的强大统治力值得再提——市场调研机构TrendForce数据显示，SK海力士去年以53%的份额领先遥遥领先HBM市场，其次是三星电子的38%和美光科技的9%。
为巩固优势，SK海力士加紧开发HBM4的同时，还在今年4月与台积电签署合作谅解备忘录，计划合作生产HBM4，并通过先进的封装技术提高逻辑和HBM的集成度。两家公司将首先致力于提高安装在HBM封装最底部的基础芯片的性能，并合作优化SK海力士的HBM和台积电的CoWoS技术的整合，合作应对客户对HBM的共同要求。台积电不仅向英伟达提供先进AI GPU的代工，还负责AI GPU和HBM内存间的CoWoS先进封装，是英伟达验证审核过程的重要参与者。
在周一，SK海力士还透露了下代产品的最新进展——更先进的HBM5计划在2028年~2030年推出。SK海力士CEO郭鲁正表示，正与晶圆代工厂合作，致力于改进基础裸片(Base Die)性能，降低功耗。他还强调，秉持“一个团队(One Team)”协作精神。这些举措，显然是为了巩固其在HBM领域的地位。
英伟达急推“Rubin”，R100尝鲜
英伟达登上“AI霸主”宝座后，有一个幸福的烦恼，就是如何坐稳天下。黄仁勋此次亲自下场，催促SK海力士加快HBM4的交货速度，到底在急什么？
目前，人工智能产业“井喷式需求”，促使英伟达在内的AI巨头纷纷提速。据不完全统计，英伟达目前在全球数据中心AI芯片市场占据80%-90%的份额，预计AMD占比接近10%，其他份额则为谷歌TPU、亚马逊自研ASIC等大厂自研AI芯片。
庞大的市场份额，是台积电冲锋在前，“累死累活”为英伟达扩大Blackwell AI GPU产能换来的。避免后继乏力，英伟达也必须以更快速度推出性能更高、存储容量更庞大、推理效率更强大且更加节能的下一代AI GPU的研发进程。
因此，英伟达和黄仁勋眼下焦急的“跟脚”，自然而然落在了下一代AI GPU架构——“Rubin”。
依据此前报道，英伟达原计划今年底推出Blackwell平台的B200与GB200芯片，2025年推出Blackwell Ultra芯片（B300或GB300），2026年推出“Rubin”平台的R100芯片，预计Rubin AI GPU将搭载HBM4存储系统。
业界人士指出，英伟达最新Blackwell平台近期才开始量产，高端款GB200 NVL72机柜平均单价（ASP）约300万美元；Rubin为Blackwell下一代平台，其相关机柜单价预期将轻松突破300万美元。
黄仁勋如此急迫地想要推出“Rubin”，或许也意味着英伟达下一代AI芯片亦将提前半年(2025年?)问世，R100芯片亦有望最先搭载HBM4，赶在竞争对手之前“疯狂吸金”。
台积电涨价，更稳固的地位
有消息称，台积电已取得英伟达同意，将在2025年调涨价格。其中3nm制程价格最多可能上涨5％，CoWoS封装价格涨幅约在10％～20％，实际涨幅将视台积电产能增幅而定。
双方很可能经过了复杂的沟通。今年早些时候，魏哲家就在股东会暗示有意调涨AI芯片代工价格，想要体现“价值”。黄仁勋随即回应，认可台积电股价太委曲，支持提价。但9月份，黄仁勋出席活动时亦公开表示：“英伟达高度仰赖台积电代工最重要的芯片，但若有需要，我们还是可以考虑其他选择。”黄仁勋这番表态，大有效仿苹果扶持第二供应链之嫌，试图制衡台积电涨价，只是收效甚微。
随着AI爆炸性增长，英伟达、AMD等AI大厂大多依赖台积电3nm制程和CoWoS工艺，炙手可热又无比紧缺的HBM成为AI芯片大规模量产的痛苦根源，台积电针对先进工艺制程酝酿涨价的心思也就顺理成章。魏哲家表示，尽管公司今年较2023年全力增加超过两倍的CoWoS先进封装产能，但仍供不应求。
台积电能够顺利涨价，除了产能紧俏引导价格上涨外，恐怕也有英伟达获取更多CoWoS产能，从而积极配合的原因。毕竟CoWoS的市场需求中，英伟达占整体供应量的比重已超过50%，英伟达多吃一口，人家就少吃一口。
令人好奇的是，台积电作为“三角联盟”的关键核心，就连昔日代工对手三星也要寻求合作，其在AI芯片领域的地位可见一斑。而当HBM4即将登台之际，台积电的影响力似乎更是急剧扩大了，到底为何？有消息显示——
1、过去最底层的基础裸片由存储厂主导，但如今HBM时代的连接效能由客户主导，定制化的HBM无法在不同客户间共用；
2、在客户指定下，HBM定制化至系统段的效率关键，是将HBM的基础裸晶从存储制程改成逻辑制程，因此改由晶圆厂一条龙制造，变成存储大厂必须释出裸晶制程委外给晶圆代工厂与相关设计厂。
SK海力士官网消息亦有所验证——“SK海力士以往的HBM产品，包括HBM3E都是基于自身制程工艺制造基础裸片，但从HBM4产品开始计划采用台积电的先进逻辑(Logic)工艺。”
简而言之，HBM4的时代，将采用基于逻辑制程的基础芯片，客户可以加入自己的IP，以实现定制化，提升HBM的效率。而对于该逻辑制程的基础芯片，三星和SK海力士都将允许客户自行设计，并可选择外部的逻辑制程晶圆代工厂来生产。
HBM4时代，台积电的地位毫无疑问更稳固、更强大了。
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