往期精选：展览免费参观现已开放！CPEEC & CPSSC 2024观展福利来了！
2024中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十七届学术年会及展览会（CPEEC & CPSSC 2024）将于2024年11月8日-11日在西安召开。会议旨在促进电力电子、能量转换与电源技术相关领域海内外学者和相关人员的学术交流，促进产、学、研的合作，促进相关产业及产业链的技术创新和进步。会议将通过大会报告、分会场报告、专题讲座、技术报告、工业报告、墙报交流、现场展览等形式对电源各个领域的新理论、新技术、新成果、新工艺及新产品进行深入交流与研讨。会议期间还将同期举办CPSS & IEEE International Symposium on Energy Storage and Conversion（ISESC）。
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过250项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
（1）全新GaNSlim™氮化镓功率芯片
作为纳微半导体 GaNSense™ 家族的下一代产品，采用了纳微独有的高散热性能DPAK-4L封装， GaNSlim™通过集成驱动、控制、保护、智能的EMI控制和无损电流感测功能，可带来最简单、最易用、速度最快的系统设计。
GaNSlim 拥有可编程的内置开关功能，旨在最大化效率和功率密度，并减少外部元件数量，降低系统成本，减少电磁干扰。同时，其具备超低启动电流和待机电流使得其能与SOT23-6的控制器兼容，无需高压启动功能。
GaNSlim所采用的4引脚、高散热性能、低轮廓、低电感的获颁专利DPAK封装，与其他可替代的传统封装相比，运行温度低7°C，支持高达500W的高功率密度设计。目标应用包括移动设备和笔记本电脑的充电器、电视电源、照明等。
（2）纳微GeneSiC第三代快速碳化硅
纳微GeneSiC第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器（OBCs）、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统（ESS）。产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装，专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。
G3F GeneSiC MOSFETs 基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，既拥有优于沟槽栅MOSFET的性能，还具备比竞争对手更强的鲁棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同时具备高效和高速的性能，可使器件的外壳温度降低高达25°C，比市场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。
“沟槽辅助平面栅”技术能使碳化硅MOSFETs的RDS(ON)受温度影响小，在整个运行范围内的功率损失降到最低。在高温的运行环境下中，搭载这一技术的碳化硅MOSFETs，与竞争对手相比，RDS(ON)降低高达20%。
此外，所有的GeneSiC MOSFETs在已公布的100%耐雪崩测试中其耐受能力最高，且短路耐受时间延长30%，以及拥有稳定的门极阈值电压便于并联控制，因此非常适合高功率并需要快速上市的应用场景。
其中，采用D2PAK-7L (TO-263-7)和标贴TOLL封装的G3F GeneSiC MOSFETs，均已通过AEC Q101车规认证，可助力电动汽车客户打造高速、低温升的充电、牵引电机和DC-DC转换器。
