存储芯片,担忧加剧

科技   2024-12-21 08:31   江苏  

Dec.

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2024.12

最近,人们对存储半导体市场竞争加剧的担忧不断加剧。像高带宽存储器(HBM2)这样的高价值产品的需求量如此之大,以至于它们“产量不足以销售”,但除了这些高价值存储器之外,警告信号正在不断被检测到。


内存半导体行业的主要参与者美光科技 (Micron Technology) 于 12 月 12 日公布了 2024 财年第一季度(9 月至 11 月)业绩。18(当地时间)。本季度业绩还算不错,第一季度销售额达到87.1亿美元,每股收益1.79美元,普遍超出市场预期。然而,问题出在第二季度(12月至2月)的表现上。在此期间,美光预计销售额为 79 亿美元,每股收益为 1.53 美元,分别低于市场预期(销售额 90 亿美元,每股收益 1.92 美元)12% 和 26%。结果,美光科技股价在财报公布后立即盘后交易中暴跌约14%。


NAND 领域的预测尤其悲观。美光诊断称,即使是与 HBM2 一起引领内存市场的企业级固态硬盘 (eSSD),需求也正在放缓。尽管他们指出eSSD需求放缓是短期问题,但考虑到各种不确定性,半导体行业预计市场形势难以乐观。美光今天宣布将 NAND 领域的晶圆投入减少 10% 左右。


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韩国国家工程院半导体特别委员会委员李在赫在12月的主题演讲中指出。18日,题为《韩国半导体的未来》的文章称,“NAND领域半导体公司之间的技术差距几乎消失了”。


与此同时,全球第三大NAND公司日本铠侠控股(Kioxia Holdings)宣布“扩大市场”计划,宣布加入竞争。12月在日本股市成功上市后。18日,铠侠宣布将把上市筹集的资金投资于扩大生产设施和开发下一代产品。


在本来就充满挑战的盈利环境下,日本宣布的某种“吃鸡游戏”也让三星电子和SK海力士处于高度戒备状态。由于 NAND 等通用存储器的价格在全球经济衰退期间不断下跌,供应增加可能会直接影响两大市场领导者。一位半导体行业官员解释说,“三星在NAND领域仍然拥有主导生产优势,但他们是否会进一步减少产量并围绕主导产品重组市场,或者进行全面竞争,值得关注。”然而,最近宣布额外10万亿韩元(75亿美元)股票回购计划以捍卫其股价的三星可能不再像以前那样有耐力进行同类的吃鸡游戏。人们还关心间接持有铠侠约 14% 股份的 SK 海力士是否会出售其股份,以及如果出售的话将如何利用所得收益。


据报道,中国内存公司已成功量产先进 DDR5 DRAM,这加剧了竞争压力。据中国IT媒体IT之家12月12日报道18日,中国企业光威科技前一天在电商平台发布了32G DDR5 DRAM。该产品由两个16G模块组成,预购价格为499元。尽管两家厂商都没有透露其供应商或生产工艺,但产品描述中都包含“国产DDR5芯片”的字样。业内人士认为,这些模块中均安装了中国自身的内存产品。


中国当地媒体强调,“DDR5内存在中国的发布不仅标志着技术突破,也表明中国技术的核心竞争力再次提升。”确实,DDR5内存本身就是一个领先的产品群,而堆叠这种内存可以创造HBM2,这表明中国在先进内存市场的追求已经开始认真进行。当然,韩国半导体行业诊断,中国DDR5在技术上仍落后三星和SK海力士的产品三年以上。然而,市场担心中国凭借其庞大的财力能否迅速赶上技术差距。


存储器半导体市场的现状是竞争加剧和不确定性之一。随着美光、三星、SK 海力士和铠侠等主要厂商在充满挑战的环境中前行,以及新兴的中国公司取得长足进步,该行业有望在不久的将来取得重大发展。


美光预测,明年“内存衰退”


美国内存制造商美光大幅下调了对下季度业绩的预期。由于除人工智能之外的整体IT需求低迷,预计NAND出货量将尤其下降。我们还计划明年保守地执行设施投资。


19日,美光宣布2025财年第一季度(2024年9月至2024年11月)销售额录得87亿美元。


这一销售额同比增长84%,环比增长12%。这与美光上一季度提出的预测和证券共识一致。每股收益为1.79美元,也与最初的预测大体一致。


按产品划分的销售额比例,DRAM 约为 64 亿美元,NAND 约为 22 亿美元。就DRAM而言,ASP(平均售价)升至高个位数,但就NAND而言,则跌至低个位数。


不过,美光预计下一季度(2024年12月至2025年2月)的销售额将较上季度大幅下滑,至77亿美元至81亿美元。这一预测明显低于证券市场普遍预期的 89.9 亿美元。每股收益预测为 1.33 美元至 1.53 美元,低于股市共识(1.92 美元)。


美光之所以下调明年初的业绩预期,是因为需求低迷。在这份财报中,美光预计数据中心对 DRAM 和 NAND 的需求将持续增长,但预计 PC 和汽车等部分行业的需求将相对较低。


尤其是NAND业务预计将表现疲软。美光将2025财年的NAND位总量(产能增长率)从之前的10%中增幅下调至10%低增幅。消费类SSD库存持续调整被认为是主要因素。


相应地,设施投资政策也将重点关注尖端DRAM和HBM(高带宽存储器)的转换投资。2025财年的总投资规模预计为135亿至145亿美元。


美光表示,“我们正在减少对 NAND 设施的投资,并谨慎管理 NAND 工艺过渡的速度”,“我们将优先考虑能够支持 DRAM 和 HBM 长期需求增长的投资。”


参考链接

https://www.businesskorea.co.kr/news/articleView.html?idxno=232157

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