手机VBUS电路上，一般会有OVP防护，今天简单聊一聊这个电路。
OVP的全称是Over Voltage Protection，意为过压保护，在手机VBUS上加过压保护电路，一般有如下几个原因：
1、手机充电，用一些非原装劣质的充电器，会导致VBUS输出异常，异常的高电压会损坏手机内部芯片。
2、在一些不发达国家，如东南亚，电网不稳定，也会导致VBUS输出异常。
3、作者之前做过车载电子，在一些大卡车，车载电平是24V的，点火状态，最高电压能到28.XV，此时在车上给手机充电时，也会有浪涌的风险。
VBUS电路一般是TVS+OVP结合防护，下图是典型的应用电路。
USB port的电压通过R1和R2分压，达到OVLO阈值时，OVP内部的开关会断开，避免高压损坏后端负载，未达到阈值时，OVP内部开关正常导通，电路正常工作。
OVP芯片在选型时，有几个参数需要注意：
1. TVS的钳位电压VCL要小于OVP的最大输入电压，这个TVS属于一级防护，抗300V浪涌，OVP的最大输入电压其实指的是内部NMOS的DS耐压。
2. Cin的额定电压需要注意，外部加TVS时，Cin的电压应大于TVS最大钳位电压，外部无TVS时，建议用50V的。
3. Cout的额定电压需要大于OVP的阈值，如6.8V的阈值，电容电压选10V及以上。
4. 带ADJ的OVP，可以通过R1和R2来调节阈值电压，和固定阈值电压的OVP相比，缺点是增加了OVP的关断时间。
5. OVP的关断时间，80ns、100ns和120ns居多，这个时间越短越好，能够及时的关断残压。
6. 导通电阻Ron，内部MOS的参数，因为后端是连接到充电电路，这个值越小越好，尤其是大电流充电。
7. Surge电压，这个指OVP内部TVS管防浪涌的电压，一般在100V/120V，属于二级防护。
OVP芯片内部防浪涌TVS管
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