HBM芯片:AI时代的“金矿”供不应求

财富   2024-04-25 23:49   辽宁  

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【正文】
事件:
1、4月4日,韩国SK海力士宣布,#将投资38.7亿美元在美国印第安纳州建造一座先进的芯片封装工厂。据悉,该工厂将以下一代高带宽内存HBM为中心,预计于2028年大规模投产。
2、4月24日,韩国sk海力士计划投资146亿美元扩大芯片产能,以满足人工智能开发需求;
3、SK海力士表示旗下HBM产能即使在2024年翻倍,也还是已经饱和;#美光科技向英伟达供货,生产配额也全部售罄。美光科技预计,整个2024财年,HBM系列产品将为公司带来“数亿美元”的营收,甚至有望比肩公司第二大业务——NAND业务。
4、三星与AMD签署4万亿韩元的HBM3E供货协议;
5、消息人士透露,三星的先进封装 (AVP) 团队将为英伟达提供 Interposer(中间层)和 I-Cube,这是其自主研发的 2.5D 封装技术,高带宽内存 (HBM) 和 GPU 晶圆的生产将由其他公司负责。
目前全球HBM市场格局:海士力,市占率50%;三星,市占率40%;美光,市占率10%。
台系存储厂商业绩拐点已现:
- 南亚科【DRAM】:3月营收33.9亿新台币,同比+57.95%,环比+11.16%,创自22年8月以来月度营收新高。南亚科表示针对工业和汽车应用的DDR3产品ASP有所改善,预计24年市场需求和价格有望持续逐季上升。
华邦电【Nand&Nor】:3月营收75.1亿新台币,同比+9.1%,环比+21.0%,创自22年6月以来月度营收新高。华邦电表示SLC NAND和利基DRAM市场的需求正在逐渐增强,公司的中长期业绩增长仍然稳健。
旺宏【Nand&Nor】:3月营收21.1亿新台币,同比-13%,环比+21.9%,环比已有显著修复。旺宏表示首季应是公司的营运谷底。
利基存储拐点已至:
利基DRAM及Nand:三星、SK海力士及美光等原厂正积极将产能转向HBM和DDR5等AI相关应用的高阶内存产品,利基DRAM及Nand供给端产能有望显著减少,同时库存已于23年充分去化,自24Q1末开始AI、网通需求提升,利基存储价格有望逐步上涨。华邦电大幅调涨二季度DDR3报价,最高达20%。
NOR Flash:库存改善,高容量产品价格有望率先复苏。NOR Flash产品的终端需求持续增温,带动下游企业加大采购力度。OEM及系统制造商的库存迅速下降至大约两周的水平,迫切需要补充库存。在需求上升与供应减少双重影响下,预计24Q2价格有望进一步上涨10%。
【HBM产能会过剩吗?】
Q: 为何预测HBM明年不会出现过剩情况?
A: 预测HBM在明年不会出现过剩现象,其依据主要源于以下几个关键因素:
较低的良率水平:HBM生产过程中,良率是决定产出效率和产能利用率的关键指标。然而,行业内HBM的平均良率目前仅为70%,远未达到90%以上的理想状态。这意味着每生产100个HBM单元,就有30个因质量问题而无法使用。这种低良率限制了实际可用产能,使得即便在产能规划上看似充足,实际上市场供应依然受限。
较长的制造周期:HBM的制造过程复杂且耗时,通常需要4个月才能完成前端和后端的所有生产工艺。然而,这样的时间表在实际操作中往往显得较为紧张,5个月甚至更长的时间才更为合理。较长的生产周期意味着即便有新增产能规划,其转化为实际市场供应也需要一定时间,难以迅速响应短期内激增的需求。
HBM3e良率要求与成本考量:对于更先进的HBM3e产品,其良率门槛被设定在65%以上,以保证其高性能与可靠性。为了获取更优质的HBM产品,制造商可能需要舍弃相当比例(可能超过30%)的DRAM晶圆,以牺牲部分常规DRAM产能为代价来确保HBM的高品质产出。此外,HBM内部设计包含冗余机制,如连接失败时可切换至备用路径,这也增加了良品筛选的复杂性,进一步影响整体良率。
Q: HBM与普通DRAM的利润率对比及其意义何在?
A: 目前,HBM的营业利润率(OP Margin)高达50%以上,远超普通DRAM的20%。对于一般商品而言,50%的利润率水平实属罕见,反映出HBM在市场上的独特地位与稀缺性。这种高利润率不仅体现了HBM技术的先进性与市场需求的强烈,还暗示了短期内其价格下降的空间相对有限。
Q: 为何认为HBM的高利润率可能难以快速下降?
A: 预计HBM的高利润率在短期内难以大幅降低,原因包括:
优质产能已被锁定:至2024年,市场上大部分优质HBM产能已被提前预订或锁定,这意味着即便市场需求有所波动,短期内供应端调整空间有限,价格受到支撑。
良率问题持续存在:由于HBM生产良率普遍较低,短期内技术突破大幅提升良率的可能性较小,这将继续限制产能的有效释放,为维持高利润率提供支撑。
技术迭代速度快:HBM技术正处于快速迭代阶段,新产品的推出往往伴随着更高的性能要求和更复杂的制造工艺,这将进一步推高生产成本,限制利润率的下降空间。
综上所述,HBM在明年的市场供需状况预计不会出现过剩现象,这主要由于其较低的良率、较长的制造周期以及对高品质DRAM晶圆的高消耗率。同时,HBM的高利润率反映了其市场地位与技术特性,考虑到优质产能已被提前锁定、良率问题短期难解以及技术迭代的快速步伐,这些因素将共同限制HBM利润率在短期内的大幅下降。因此,HBM在明年继续保持紧俏态势与高利润率的可能性较大。

国内的内存接口的澜起科技,存储模组的江波龙、佰维存储、德明利、协创数据等,业绩均非常优异大超预期。

1)HBM产业链:香农芯创/赛腾股份/精智达/联瑞新材/华海诚科/雅克科技/深科技等

2)弹性模组端:德明利/江波龙/佰维存储等

3)DDR5产业链:澜起科技/聚辰股份

4)上游设计端:兆易创新/普冉股份/东芯股份/北京君正等

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