这两天不少网友都在热议工信部披露的新款国产氟化氩光刻机的消息，一时间，各种关于国产光刻机大突破言论满天飞，甚至还有人一看到“套刻≤8nm”就认为这是8nm光刻机，也是令人啼笑皆非。
其实，早在6月20日，工信部就曾发布了《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》公示，集成电路生产设备一栏当中，就有公示一款氟化氪光刻机和一款氟化氩光刻机。随后在9月9日，工信部又将该通知重发了一遍：
氟化氪光刻机其实就是老式的248nm光源的KrF光刻机，分辨率为≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氩光刻机则是193nm光源的ArF光刻机（也被称为DUV光刻机），但披露的这款依然是干式DUV光刻机，而非更先进的浸没式DUV光刻机（也被称为ArFi光刻机）。
从官方披露的参数来看，该DUV光刻机分辨率为≤65nm，套刻精度≤8nm。虽然相比之前上微的SSA600光刻机有所提升（分辨率为90nm），但是仍并未达到可以生产28nm芯片的程度，更达不到制造什么8nm、7nm芯片的程度。很多网友直接把套刻精度跟光刻制造制程节点水平给搞混了。
光刻精度主要看的是光刻机的分辨率，65nm的分辨率，那么单次曝光能够达到的工艺制程节点大概就在65nm左右。
套刻精度则指的是每一层光刻层之间的对准精度。众所周知，芯片的制造过程，实际上是将很多层的光刻图案一层一层的实现，并堆堆叠而成。一层图案光刻完成后，需要再在上面继续进行下一层图案的光刻，而两层之间需要精准对准，这个对准的精度就是套刻精度，并不是指能够制造的芯片的工艺制程节点。
那么，这个65nm的光刻分辨率、套刻精度≤8nm，能够做到多少纳米制程呢？又相当于目前ASML什么水平的光刻机呢？可以对比看下面的ASML光刻机的参数：
