1-MW
6-单晶太阳能电池
建立在高质量单晶硅材料和加工处理工艺基础上，一般采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术开发的一种太阳能电池。
7-多晶太阳能电池
采用太阳能级多晶硅材料，制造工艺与单晶硅太阳电池类似。
8-薄膜电池
通过溅射法、PECVD 法、LPCVD 法等方法，在玻璃、金属或其他材料上制成特殊薄膜，经过不同的电池工艺过程制得单结和叠层太阳能电池的一种太阳能电池。
9-方单晶电池
使用正四方形单晶硅片制作成的 PERC 电池。
10-光伏装机容量
太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳能电池组件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。这种装置的发电功率就是装机容量。
11-PID
Potential-induced degradation（潜在电势诱导衰减），即组件长期在高电压作用下使得玻璃、封装材料之间存在漏电流，大量电荷聚集在电池片表面，使得电池表面的钝化效果恶化，导致FF、Js c ，Vo c 降低，使得组件性能低于设计标准。
12-PERC
Passivated Emitter and Rear Contact，钝化发射极及背接触电池，一种高效晶硅太阳能电池结构。这种电池主要针对全铝背场太阳能电池在背表面的载流子复合较高的缺点，使用 AL 2 O 3 膜或SiN X 在背表面构成钝化层，并开膜使得铝背场与 Si 衬底实现有效的金半接触。
13-PERT
Passivated Emitter and Rear Totally-Diffused Cell，钝化发射极背面全扩散电池，一种高效晶硅太阳能电池结构。这种电池系在PERC 太阳能电池基础上，为了能够进一步降低 PERC 电池背面金半接触电阻，对背面接触区域进行背面全扩散。
14-IBC
Interdigitated Back Contact，指叉型背接触电池，一种高效晶硅太阳能电池结构。这种电池正面无栅线电极，正负极交叉排列在背面，前表面仅有减反射层和钝化层。IBC 电池最大的特点是 PN 结和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的影响，为使用者带来更多有效发电面积，有利于提升光电转换效率。
15-HIT
Hetero-junction with Intrinsic Thin-layer，本征薄膜异质结电池，一种高效晶硅太阳能电池结构。这种电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，即在 P 型氢化非晶硅和 N 型氢化非晶硅与 N 型硅衬底之间增加一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改变了 PN 结的性能。
16-HBC
交叉指式背接触异质结太阳电池，正面无电极遮挡，采用a-Si∶H 作为双面钝化层，同时具备 IBC 电池和 SHJ（异质结）电池的优势，能够取得更高的开路电压和更高的短路电流，从而达到更高的光电转换效率。
17-TOPCON
隧穿氧化层钝化接触电池，通过在电池表面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，提升电池的开路电压和短路电流，从而提升电池的光电转换效率。
18-叠层电池
不同类型叠加结构的太阳能电池。
19-166mm 电池
采用硅片 M6（硅片长度 166mm，最大对角线长度 223mm）生产的电池，比常规 M2（硅片长度 156.75mm，最大对角线长度 211mm）的面积大 12.21%，因此也称 166 大尺寸电池、166大面积电池。
20-180mm 电池
采用长度180mm，最大对角线长度245mm的硅片生产的电池，比常规 M2（硅片长度 156.75mm，最大对角线长度 211mm）的面积大 32.23%，因此也称 180mm 大尺寸电池或 180mm 大面积电池。
21-210mm 电池
采用硅片 M12（硅片长度 210mm，最大对角线长度 295mm）生产的电池，比常规 M2（硅片长度 156.75mm，最大对角线长度 211mm）的面积大 80.5%，因此也称 210mm 大尺寸电池或210mm 大面积电池。
END
