网传咱们突破了8nm光刻机，非常火，各种朋友在转载，多个平台登上热搜榜！虽然很振奋人心，但谣言止于智者，咱们还是要认清现实，不要被带节奏了...
首先，这个消息是9.11号发布的
9.11号张江高科（参股上海微电子）下午直线拉升，大概率就是因为这个消息。（提前有人知道，谨慎追高...）
其次，网传的氟化氩光刻机其实是65nm干式光刻机...，套刻≤8nm，并不等于能生产出8nm芯片。
28nm工艺要求的套刻精度大约是4nm，8nm套刻精度应该是用来生产65nm芯片的。
我们终于从90nm盘旋了很久走到了65nm，虽然这还是一款低端光刻机相当于20年前ASML的1460K, 多重曝光大概能做到28nm， 但基本一些对功耗要求不太高的芯片都能覆盖。
距离HW用的ASML 低端DUV1980i还差很远， 1980i可实现≤38nm 的分辨率，和2.5nm 的套刻精度，所以多重曝光才能到7nm。
而且这次工信部公布的应该都是几年前的产品，别被带节奏了，估计是成熟了，走出实验室要大规模推广了。还有更先进一点的，目前还在研发，能用，但是还没到量产阶段，所以就不披露了。相信中国人的智慧，十几亿人口，这么多科研人员，还有搞不定的吗？当然，还要抓紧时间。越快搞出来，战略压力越小！
眼下各个研发机构还有很多新的光刻机在研发中，相信不久将来还会不断有好消息！
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