CdSeTe 薄膜太阳能电池掺杂的重点已从铜 (Cu) 掺杂转变为 V 族掺杂。原位 V 族掺杂已使功率转换效率 (PCE) 达到创纪录的 23.1%，开路电压 (VOC) 超过 900 mV。基于此，托莱多大学鄢炎发& Deng-Bing Li团队报告了非原位铋 (Bi) 掺杂的 CdSeTe 薄膜太阳能电池的 VOC 超过 900 mV，PCE 达到 20.6%，相关成果于2024年11月8日发表于Joule期刊。表征表明，靠近前结的富硒 CdSeTe 区域促使 Bi 离子占据阴离子位点，并将该区域掺杂为弱 p 型。以 CdTe 为主的背面区域中的 Bi 离子占据阳离子位点并被氧化。这种以BiF3为掺杂剂前体的原位Bi掺杂方法具有多种优点，包括简单、对加工环境的耐受性高，并且不需要额外的Cd蒸气或特殊的活化过程，使其非常适合研究人员探索高效的Bi掺杂CdSeTe薄膜太阳能电池。
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