一、制绒
制绒工段（共6条线）依次包括预清洗-制绒前纯水洗-制绒*3-制绒后纯水洗-后清洗-后清洗后纯水洗-酸洗-酸洗后纯水洗-慢提拉预脱水-烘干*5等模块。 1）预清洗目的：去除在硅片表面上黏附的杂质（有机物和金属杂质等），使用NaOH溶液和H2O2溶液。 2）碱制绒目的：通过碱液对硅表面进行晶体的各向异性腐蚀，形成表面5um大小的金字塔，金字塔绒面具有优良的陷光和减反射效果（10%）。碱制绒使用NaOH溶液和制绒添加剂。 3）后清洗碱制绒后的硅片进入后清洗槽，去除残留的有机物，保证硅片表面的清洁程度，从而一定程度上提高电池转换效率。 4）酸洗在后清洗后需使用稀酸溶液（3.15%的HCl和7.1%的HF）进行高纯度清洗，HCl的作用是中和残余的NaOH，HF的作用是去除硅片表面的氧化层使得硅片表面更加疏水，形成硅的络合物H2SiF6，通过与金属离子的络合作用将金属离子从硅片表面脱离，使得硅片的金属离子含量降低，为扩散制结做准备。酸洗后进行纯水清洗。 5）慢提拉预脱水目的：对晶硅片表面预脱水，通常作为纯水清洗环节的最后一个步骤。将纯水清洗后的晶硅片传输至慢拉槽，硅片先沉入纯水内完全浸泡，然后通过机械手及吊篮缓慢向上提拉，表面张力能将硅片上的水膜拉下来。 6）烘干：将晶硅片传输至烘干槽，向硅片上下吹90℃的热风烘干，烘干采用电加热。 二、硼扩散 扩散工序的目的是在硅片上形成PN结，以实现光能向电能的转化。PN结制造设备为扩散炉，项目采用气态三氯化硼在扩散炉内对硅晶片进行扩散，硼原子通过扩散进入硅片，同时在硅片表面形成一层硼硅玻璃层。 三、SE激光重掺 激光掺杂技术是在金属栅线（电极）与硅片接触部分进行重掺杂，而电极以外位置保持轻掺杂（低浓度掺杂）。 四、后氧化 硅片表面被激光SE处理过的地方，硼扩散表面（入光面）的氧化层被激光的光斑能量破坏了。在碱抛光刻蚀的时候，需要有一层氧化层作为掩膜层来保护硅片的磷扩散表面（入光面）。因此，需要对激光SE扫描过的表面进行氧化层修复。 五、刻蚀 1）去BSG：硅片在链式清洗机中以水上漂的方式（背面接触酸液）将背面的BSG去除，酸液主要成分为24.5%HF。 2）背刻蚀：为提高硅片背面反射率，通过碱加抛光剂对硅片背面进行抛光。碱抛工段（6条线）依次包括前清洗-水洗-碱抛洗*2-过氧化氢清洗（预留）-微制绒（预留）-纯水清洗-后清洗-纯水清洗-酸洗*2-酸洗后纯水洗-慢提拉预脱水-烘干*5等模块。 3）预清洗经过加工后的硅片进入清洗槽，去除残留的有机物，保证硅片表面的清洁程度，从而一定程度上提高电池转换效率。 4）碱抛洗碱抛洗槽中配有纯水，并添加适量的NaOH溶液和抛光添加剂（NaOH溶液约1.6%，抛光剂浓度0.97%），然后对硅片背表面进行抛光处理，操作温度为65℃。碱抛洗后再进行纯水清洗。 5）后清洗及微制绒槽内添加纯水，并按配比分别添加适量的NaOH溶液及双氧水（NaOH溶液约0.55%，双氧水浓度0.25%）进行常温清洗。后清洗后再进行纯水清洗。 6）酸洗在后清洗后需使用稀酸溶液（0.9%的HCl和0.23%的HF）进行高纯度清洗，HCl的作用是中和残余的NaOH，HF的作用是去除硅片表面的氧化层使得硅片表面更加疏水，形成硅的络合物H2SiF6，通过与金属离子的络合作用将金属离子从硅片表面脱离，使得硅片的金属离子含量降低，为扩散制结做准备。酸洗后进行纯水清洗。 7）烘干：将慢提拉预脱水后的晶硅片传输至烘干槽，向硅片上下吹90℃的热风烘干，烘干采用电加热。 六、POPAID沉积原位掺杂 POPAID工序是集成隧穿氧化层和掺杂晶硅层制备的板式镀膜的关键工艺。 首先硅片在大气环境下进入装载腔，传送进300°的预热腔，然后再进入PO工艺腔，这时O2通过气管输送到分气块，由RF射频电源激活离化成离子，离子在硅片表面发生氧化，形成隧穿氧化层。 然后硅片再经过过渡、缓冲腔，传送进paid腔，paid源在衬底背面沉积一定厚度的非晶硅，同时在沉积过程中通入PH3气体，气态磷烷进入机器中，经10kev和0.5-2kev高压射频将磷烷中的磷激发成磷离子的状态，在离子源与地之间加入直流高压，这样磷离子通过高压电场获得能量，束流的宽度为420mm。 然后将硅片传输至束流下方，paid源的原子的飞向衬底过程中携带P离子或与P离子反应从而实现原位磷掺杂。 七、退火 将硅片置于用石英玻璃制成的反应管中，反应管用电阻丝加热炉加热一定温度（常用的温度为900～1200℃，在特殊条件下可降到600℃以下），氧气通过反应管时，在硅片表面发生化学反应：Si(固态)+O2(气态)→SiO2(固态)。 退火过程产生的杂质再分布同时起到吸杂作用，利用PSG对钠、钾等离子的吸附和固定作用去除这些有害离子。产污环节分析：该工序主要污染环节为热氧环节残余氧气、氮气。 八、BOE清洗 BOE(5条线)槽式设备为一体化半密闭设备，硅片由自动化设备摆放在提篮中，通过机械臂在设备内各槽溶液中转换。其中化学品槽根据溶液浓度不断补充相应化学品，定期整体更换。更换下来的废液排入废水系统，最终进入污水处理站处理。 1）酸洗：需使用稀酸溶液（3.15%的HCl和7.1%的HF）进行高纯度清洗，HCl的作用是利用Cl-络合金属离子，HF的作用是去除硅片表面的氧化层使得硅片表面更加疏水，形成硅的络合物H2SiF6，通过与金属离子的络合作用将金属离子从硅片表面脱离，使得硅片的金属离子含量降低，HF酸洗150s去除正面的BSG及背面的PSG层，酸洗后进行纯水清洗。 2）后酸洗在后清洗后需使用稀酸溶液（14.7%的HF）进行高纯度清洗，HF的作用是去除硅片表面的氧化层使得硅片表面更加疏水，形成硅的络合物H2SiF6，通过与金属离子的络合作用将金属离子从硅片表面脱离，使得硅片的金属离子含量降低。 3）烘干将慢提拉预脱水后的晶硅片传输至烘干槽，向硅片上下吹90℃的热风烘干，烘干采用电加热。 九、ALD ![]()
使用ALD设备在硅片表面镀上一层Al2O3层，以提高硅片表面的钝化及吸杂效果。主要是利用气态Al(CH3)3与水汽（H2O）反应，生成Al(OH)3，附着在硅片表面，同时产生甲烷气体。 十、正面镀膜 基本原理是利用高频光放电产生等离子体对薄膜淀积过程施加影响，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，并促进反应活性集团的生成。由于NH3的存在有利于活性基团的流动和扩散，提高了薄膜的生长速度，并大大降低了淀积温度。 十一、背面镀膜 PECVD背膜设备为密闭负压设备，电加热，自带无油干式机械真空泵。生产时，首先向设备内充氮气，机械臂完成硅片装舟，设备内达到外界压力后，打开进出料口，石墨舟自动进入设备内，并关闭进出料口。 抽真空并进行各项安全检查，确认安全后通入硅烷和氨气，在设备内完成氮氧化硅镀膜。镀膜完成后通过氮气将特种气体管道内和设备内残存气体排出，之后打开进出料口，出料。冷却后进入整理，进入后续工艺。 十二、金属化 1）印刷过程中，浆料在网版上方，刮刀以一定的压力压在网版上，使网版变形接触在硅片表面。浆料经过挤压接触到硅片表面；硅片表面吸附力较大，将浆料从网孔中抢夺出来。 2）烧结就是把印刷到硅片上的主细栅浆料在高温下烧结成电池片，使得电极嵌入表面，形成牢固的力学接触和良好的电学连接，最终使电极和硅片本身形成欧姆接触。 3）电注入电池片烧结后，使用直接电注入载流子（反向注入直流电）的方法，使硅体内的氢改变带电状态，从而能很好地钝化衰减态的硼氧复合体，使其转变成稳定的再生态，最终达到抗光衰的目的。 十三、测试包装 来源：光伏职场
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一、制绒
制绒工段（共6条线）依次包括预清洗-制绒前纯水洗-制绒*3-制绒后纯水洗-后清洗-后清洗后纯水洗-酸洗-酸洗后纯水洗-慢提拉预脱水-烘干*5等模块。 1）预清洗目的：去除在硅片表面上黏附的杂质（有机物和金属杂质等），使用NaOH溶液和H2O2溶液。 2）碱制绒目的：通过碱液对硅表面进行晶体的各向异性腐蚀，形成表面5um大小的金字塔，金字塔绒面具有优良的陷光和减反射效果（10%）。碱制绒使用NaOH溶液和制绒添加剂。 3）后清洗碱制绒后的硅片进入后清洗槽，去除残留的有机物，保证硅片表面的清洁程度，从而一定程度上提高电池转换效率。 4）酸洗在后清洗后需使用稀酸溶液（3.15%的HCl和7.1%的HF）进行高纯度清洗，HCl的作用是中和残余的NaOH，HF的作用是去除硅片表面的氧化层使得硅片表面更加疏水，形成硅的络合物H2SiF6，通过与金属离子的络合作用将金属离子从硅片表面脱离，使得硅片的金属离子含量降低，为扩散制结做准备。酸洗后进行纯水清洗。 5）慢提拉预脱水目的：对晶硅片表面预脱水，通常作为纯水清洗环节的最后一个步骤。将纯水清洗后的晶硅片传输至慢拉槽，硅片先沉入纯水内完全浸泡，然后通过机械手及吊篮缓慢向上提拉，表面张力能将硅片上的水膜拉下来。 6）烘干：将晶硅片传输至烘干槽，向硅片上下吹90℃的热风烘干，烘干采用电加热。 二、硼扩散 扩散工序的目的是在硅片上形成PN结，以实现光能向电能的转化。PN结制造设备为扩散炉，项目采用气态三氯化硼在扩散炉内对硅晶片进行扩散，硼原子通过扩散进入硅片，同时在硅片表面形成一层硼硅玻璃层。 三、SE激光重掺 激光掺杂技术是在金属栅线（电极）与硅片接触部分进行重掺杂，而电极以外位置保持轻掺杂（低浓度掺杂）。 四、后氧化 硅片表面被激光SE处理过的地方，硼扩散表面（入光面）的氧化层被激光的光斑能量破坏了。在碱抛光刻蚀的时候，需要有一层氧化层作为掩膜层来保护硅片的磷扩散表面（入光面）。因此，需要对激光SE扫描过的表面进行氧化层修复。 五、刻蚀 1）去BSG：硅片在链式清洗机中以水上漂的方式（背面接触酸液）将背面的BSG去除，酸液主要成分为24.5%HF。 2）背刻蚀：为提高硅片背面反射率，通过碱加抛光剂对硅片背面进行抛光。碱抛工段（6条线）依次包括前清洗-水洗-碱抛洗*2-过氧化氢清洗（预留）-微制绒（预留）-纯水清洗-后清洗-纯水清洗-酸洗*2-酸洗后纯水洗-慢提拉预脱水-烘干*5等模块。 3）预清洗经过加工后的硅片进入清洗槽，去除残留的有机物，保证硅片表面的清洁程度，从而一定程度上提高电池转换效率。 4）碱抛洗碱抛洗槽中配有纯水，并添加适量的NaOH溶液和抛光添加剂（NaOH溶液约1.6%，抛光剂浓度0.97%），然后对硅片背表面进行抛光处理，操作温度为65℃。碱抛洗后再进行纯水清洗。 5）后清洗及微制绒槽内添加纯水，并按配比分别添加适量的NaOH溶液及双氧水（NaOH溶液约0.55%，双氧水浓度0.25%）进行常温清洗。后清洗后再进行纯水清洗。 6）酸洗在后清洗后需使用稀酸溶液（0.9%的HCl和0.23%的HF）进行高纯度清洗，HCl的作用是中和残余的NaOH，HF的作用是去除硅片表面的氧化层使得硅片表面更加疏水，形成硅的络合物H2SiF6，通过与金属离子的络合作用将金属离子从硅片表面脱离，使得硅片的金属离子含量降低，为扩散制结做准备。酸洗后进行纯水清洗。 7）烘干：将慢提拉预脱水后的晶硅片传输至烘干槽，向硅片上下吹90℃的热风烘干，烘干采用电加热。 六、POPAID沉积原位掺杂 POPAID工序是集成隧穿氧化层和掺杂晶硅层制备的板式镀膜的关键工艺。 首先硅片在大气环境下进入装载腔，传送进300°的预热腔，然后再进入PO工艺腔，这时O2通过气管输送到分气块，由RF射频电源激活离化成离子，离子在硅片表面发生氧化，形成隧穿氧化层。 然后硅片再经过过渡、缓冲腔，传送进paid腔，paid源在衬底背面沉积一定厚度的非晶硅，同时在沉积过程中通入PH3气体，气态磷烷进入机器中，经10kev和0.5-2kev高压射频将磷烷中的磷激发成磷离子的状态，在离子源与地之间加入直流高压，这样磷离子通过高压电场获得能量，束流的宽度为420mm。 然后将硅片传输至束流下方，paid源的原子的飞向衬底过程中携带P离子或与P离子反应从而实现原位磷掺杂。 七、退火 将硅片置于用石英玻璃制成的反应管中，反应管用电阻丝加热炉加热一定温度（常用的温度为900～1200℃，在特殊条件下可降到600℃以下），氧气通过反应管时，在硅片表面发生化学反应：Si(固态)+O2(气态)→SiO2(固态)。 退火过程产生的杂质再分布同时起到吸杂作用，利用PSG对钠、钾等离子的吸附和固定作用去除这些有害离子。产污环节分析：该工序主要污染环节为热氧环节残余氧气、氮气。 八、BOE清洗 BOE(5条线)槽式设备为一体化半密闭设备，硅片由自动化设备摆放在提篮中，通过机械臂在设备内各槽溶液中转换。其中化学品槽根据溶液浓度不断补充相应化学品，定期整体更换。更换下来的废液排入废水系统，最终进入污水处理站处理。 1）酸洗：需使用稀酸溶液（3.15%的HCl和7.1%的HF）进行高纯度清洗，HCl的作用是利用Cl-络合金属离子，HF的作用是去除硅片表面的氧化层使得硅片表面更加疏水，形成硅的络合物H2SiF6，通过与金属离子的络合作用将金属离子从硅片表面脱离，使得硅片的金属离子含量降低，HF酸洗150s去除正面的BSG及背面的PSG层，酸洗后进行纯水清洗。 2）后酸洗在后清洗后需使用稀酸溶液（14.7%的HF）进行高纯度清洗，HF的作用是去除硅片表面的氧化层使得硅片表面更加疏水，形成硅的络合物H2SiF6，通过与金属离子的络合作用将金属离子从硅片表面脱离，使得硅片的金属离子含量降低。 3）烘干将慢提拉预脱水后的晶硅片传输至烘干槽，向硅片上下吹90℃的热风烘干，烘干采用电加热。 九、ALD ![]()
使用ALD设备在硅片表面镀上一层Al2O3层，以提高硅片表面的钝化及吸杂效果。主要是利用气态Al(CH3)3与水汽（H2O）反应，生成Al(OH)3，附着在硅片表面，同时产生甲烷气体。 十、正面镀膜 基本原理是利用高频光放电产生等离子体对薄膜淀积过程施加影响，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，并促进反应活性集团的生成。由于NH3的存在有利于活性基团的流动和扩散，提高了薄膜的生长速度，并大大降低了淀积温度。 十一、背面镀膜 PECVD背膜设备为密闭负压设备，电加热，自带无油干式机械真空泵。生产时，首先向设备内充氮气，机械臂完成硅片装舟，设备内达到外界压力后，打开进出料口，石墨舟自动进入设备内，并关闭进出料口。 抽真空并进行各项安全检查，确认安全后通入硅烷和氨气，在设备内完成氮氧化硅镀膜。镀膜完成后通过氮气将特种气体管道内和设备内残存气体排出，之后打开进出料口，出料。冷却后进入整理，进入后续工艺。 十二、金属化 1）印刷过程中，浆料在网版上方，刮刀以一定的压力压在网版上，使网版变形接触在硅片表面。浆料经过挤压接触到硅片表面；硅片表面吸附力较大，将浆料从网孔中抢夺出来。 2）烧结就是把印刷到硅片上的主细栅浆料在高温下烧结成电池片，使得电极嵌入表面，形成牢固的力学接触和良好的电学连接，最终使电极和硅片本身形成欧姆接触。 3）电注入电池片烧结后，使用直接电注入载流子（反向注入直流电）的方法，使硅体内的氢改变带电状态，从而能很好地钝化衰减态的硼氧复合体，使其转变成稳定的再生态，最终达到抗光衰的目的。 十三、测试包装 来源：光伏职场
一、制绒
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