缺陷耐受性是高效铅卤化物钙钛矿材料的关键促成因素，但目前的理解主要集中在带边（冷）载流子上，而热载流子是否也能表现出缺陷耐受性则存在很大争议。基于此，牛津大学Robert L. Z. Hoye团队在本文中通过研究故意引入的陷阱如何影响CsPbX3纳米晶体（X = Br、I或混合物）中的热载流子弛豫来解决该领域的这一重要空白，相关成果于2024年9月16日发表于Nature Communications期刊。使用飞秒带间和带内光谱，以及能量相关的光致发光测量和动力学建模，发现热载流子在CsPbX3中并非普遍具有缺陷耐受性，但与冷载流子的缺陷耐受性密切相关，需要存在浅陷阱（如 CsPbI3）。研究发现，热载流子直接被陷阱捕获，而不是经过中间冷载流子，更深的陷阱会导致更快的热载流子冷却，从而减少热声子瓶颈和俄歇再加热的影响。这项工作为缺陷如何影响热载流子提供了重要的见解，这对于设计热载流子太阳能电池、多激子产生和光增益介质的材料具有重要意义。
