南开大学张毅&邵斌团队最新AFM:CdS中异常电子掺杂促进Sb2Se3薄膜太阳能电池效率的提高

文摘   2024-12-19 18:49   瑞士  
P-N异质结的质量对硒化锑(Sb2Se3)太阳能电池的性能至关重要,因此引起了人们的迫切关注。基于此,南开大学张毅&邵斌团队将一价阳离子Ag+掺杂到CdS中,异常增强了CdS薄膜的N型电导率,同时降低了其寄生吸收,相关成果发表于Advanced Functional Materials期刊。此外,CdS的Ag掺杂促进了Cd向Sb2Se3层中的扩散,形成CdSb缺陷,增强了Sb2Se3的P型电导率并降低了深能级中心的密度。通过对CdS表面进一步的化学刻蚀处理,CdS/Sb2Se3 P-N异质结的质量得到明显改善,使得CdS/Sb2Se3的能带排列更有利于载流子传输。最终,在气相传输沉积处理的Sb2Se3太阳能电池中获得了8.14%的显著效率,这是Jsc为30.96 mA cm−2的电池中最高的效率。这项工作提供了一种同时优化CdS和 Sb2Se3功能层并提高高效 Sb2Se3太阳能电池的 P-N异质结质量的策略。
论文信息:Z. Cao, B. Shao, Z. Ye, C. Liu, Z. Li, J. Dong, W. Wang, J. Li, H. Liu, Y. Zhang, Anomalous Electron Doping in CdS to Promote the Efficiency Improvement in Sb2Se3 Thin Film Solar Cells. Adv. Funct. Mater. 2024, 2418974. https://doi.org/10.1002/adfm.202418974
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