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国立清华大学陳學仕团队最新AM：具有应力释放形态ZnSe-ZnSeS-ZnS壳的高性能巨型InP量子点

文摘   2024-11-25 21:32   瑞士  
磷化铟 (InP)量子点 (QD)越来越多地被视为传统镉基 QD的有力替代品。尽管如此，InP的材料稳定性（尤其是与镉基 QD相比时）在其应用中带来了重大挑战。通常，在 InP核上施加厚的 ZnS壳以阻止光氧化并减少非辐射复合。然而，InP核和 ZnS壳之间明显的晶格失配会引入晶格缺陷，从而降低发光效率。这使得培育完美厚壳成为一项至关重要的挑战。基于此，国立清华大学陳學仕团队在本研究中阐明了一种合成方法来制造尺寸超过20 nm的高效 InP QD，通过减轻壳生长过程中的晶格失配应变来实现，相关成果发表于Advanced Materials期刊。通过调控壳层组分和形貌，制备出具有盾状形貌的InP/ZnSe/ZnSeS/ZnS量子点，其光致发光量子产率（PLQY）约为90%，光稳定性和热稳定性显著提高。这一发现有望极大地推动高效InP基或其他量子点的制备，拓展其在环保显示器、节能照明等各种应用领域的潜力。
论文信息：H.-S. Chen, C.-Y. Chen, Y.-C. Wu, High-Performance Giant InP Quantum Dots with Stress-Released Morphological ZnSe-ZnSeS-ZnS Shell. Adv. Mater. 2024, 2407026. https://doi.org/10.1002/adma.202407026

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