今年6月起，英飞凌陆续推出全新CoolGaN™ 产品技术：新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaN™ 半导体器件系列，能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压；CoolGaN™ 双向开关（BDS），拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。现已推出CoolGaN™ G3系列晶体管中压产品60V-200V 和 CoolGaN™ BDS 40 V工程样品。
抢先体验，英飞凌全新CoolGaN™ 系列工程样品
CoolGaN™ G3系列晶体管
CoolGaN™ 双向开关（BDS）
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CoolGaN™ G3系列晶体管
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- 采用高性能 8 英寸晶圆工艺制造。
- 覆盖了60 V、80 V、100 V和120 V 的CoolGaN™ 晶体管电压等级，以及40 V双向开关（BDS）器件。
- 主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。
CoolGaN™ 双向开关（BDS）
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- 一款基于英飞凌肖特基栅氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。
- 能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。
- 相比传统的背对背硅FET，使用40 V GaN BDS能够节省50%-75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗，并减少成本。
- 适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。
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CoolGaN™ G3系列晶体管
CoolGaN™ 双向开关（BDS）
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