金属卤化物钙钛矿 (MHP) 是一种低温可加工的混合半导体材料，具有卓越的性能，正在彻底改变光电器件领域。尽管它们具有巨大的潜力，但由于 MHP 缺乏稳定性和耐久性，其商业部署受到阻碍，这主要归因于离子迁移和与电极的化学相互作用。为了解决这些问题，人们研究了 2D 层状 MHP 作为可能的器件夹层或活性材料替代品。这里，2D 钙钛矿 (PEA)2PbBr4 被认为是最近被讨论为 X 射线直接检测的有希望的候选材料。虽然已经报道了 (PEA)2PbBr4 辐射探测器的弹性增强，但与 3D 钙钛矿相比，这种改进的物理机制仍未完全了解。为了揭示 (PEA)2PbBr4 晶体中被认为是器件性能更好基础的电荷传输过程，意大利博洛尼亚大学Andrea Ciavatti团队采用了一种以前用于高阻无机半导体的研究技术，称为光诱导电流瞬态光谱 (PICTS)，相关成果于2024年9月18日发表于Advanced Functional Materials期刊。结果表明，PICTS 能够可靠地检测三种陷阱状态（T1、T2 和 T3），并且它们在 X 射线照射下的演变可以解释 (PEA)2PbBr4 优异的辐射耐受性和降低的老化效应。总体而言，这些结果为了解 2D 钙钛矿的电学特性及其作为可靠的直接 X 射线探测器的潜在应用提供了重要见解。
论文信息：A. Ciavatti, V. Foderà, G. Armaroli, L. Maserati, E. Colantoni, B. Fraboni, D. Cavalcoli, Radiation Hardness and Defects Activity in PEA2PbBr4 Single Crystals. Adv. Funct. Mater. 2024, 2405291. https://doi.org/10.1002/adfm.202405291
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