氮化镓器件GPIHV15DK
「量芯微」于2018年在中国苏州成立，是国际领先的高压GaN功率器件研发商，是全球首家实现1200V高压硅基GaN HEMT商业化量产的企业。目前，公司产品主要为涵盖不同电流等级及封装形式的650V和1200V增强型氮化镓功率器件及氮化镓基电力电子先进应用解决方案，专注于车规、新能源、工业、数据中心、大功率消费等市场。
「量芯微」创始人&首席执行官李湛明博士，拥有近30年创业与技术研发经验，是半导体领域连续成功创业者，在全球半导体器件设计仿真领域享有盛誉。在李湛明博士带领下，「量芯微」汇聚了具有丰富半导体器件与工艺研发、市场营销、投资经验的精英团队。目前公司拥有技术专利近50项，可提供一系列具有国际一流性能指标的高端GaN功率器件。
本次测试的「量芯微」1200V TO-252封装的氮化镓器件GPIHV15DK，在市场上具有标志性意义。传统的氮化镓功率器件最高电压普遍停留在低压应用,进入到1200V意味着氮化镓器件在800伏电驱或其他高压应用上将发挥重要作用。相比于碳化硅器件，硅基氮化镓功率器件兼具性能和降本优势，未来将成为最具性价比的功率器件，在工业和能源应用市场将会有更大的发展空间。
c.光隔离探头TIVP1、高压无源探头TPP0850与PCB连接时采用专用测试座，尽量减少了引入测量回路的电感，同时还确保了测量的重复性
以TO-252测试板为例，我们可以看到其上的各功能模块：
·下管器件：量芯微的1200伏氮化镓器件GPIHV15DK
·上管器件：TO-252封装的1200伏碳化硅二极管
·测试点：栅极的信号的测试点，主回路电流的测试点，源漏极Vds的电压的测试点
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