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《超越摩尔 (英文)》| Moore and More
使用密度泛函理论和半经验方法准确和高效地计算极紫外光刻胶的电离势
光刻胶是光刻工艺的核心材料，其曝光后溶解度发生变化，是实现纳米级图案制造的基础。当前芯片制造需要实现更小的特征尺寸，这对光刻胶性能提出了更高的要求。目前，分子玻璃和有机-无机杂化纳米团簇等新型光刻胶正在开发中，以提升分辨率、增强光敏性和抗蚀能力，降低线宽粗糙度和线边缘粗糙度。在这些新材料的研发中，理论计算可以发挥作用并加速分子设计。
在极紫外光刻过程中，光刻胶会发生电离，高能光子产生光电子，光电子又可诱导产生次级电子。影响该过程的一个重要参数是电离势，其被定义为将一个电子从孤立分子移动到无穷远处所需的能量，其数值决定了高能电子的能量损失和产生的总电子数目，最终影响图形质量。由于光刻胶分子结构迥异，选择准确且高效的理论方法进行计算具有挑战性。本文考虑了常见的分子玻璃、聚合物基和有机-无机杂化纳米团簇光刻胶共87种分子结构，以DLPNO-CCSD(T)方法为基准，对12种密度泛函和4种半经验方法计算垂直电离能和绝热电离能的准确性进行评估，从而为EUV光刻胶的分子建模提供参考，推动精确多尺度计算框架的发展。
论文链接：
https://link.springer.com/article/10.1007/s44275-024-00002-3
通讯作者简介
李浩源（通讯作者）：教授/博士生导师，上海大学，主要研究方向：纳米多孔材料的形成过程及其特性、固体中的离子和分子输运机制、有机微电子材料的微观机理
期刊简介
《超越摩尔（英文）》（Moore and More, MaM）( ISSN: 3044-8680 ) 是全球⾸本专注集成电路超越摩尔（泛摩尔技术）领域的英⽂期刊，本刊为中国科技期刊卓越行动计划高起点新刊。MaM 由上海⼤学主办，在 Springer·Nature平台完全开放获取出版。
期刊办刊愿景
MaM致力于反映国际学术前沿，推动集成电路领域发展。MaM涵盖研究论文、综述、路线图等多种文章形式，并致力于反映国际学术前沿基础创新和产业技术发展最新动态， 架起从基础研究到工程技术的学术桥梁，为集成电路超越摩尔领域搭建一流国际学术交流平台。
收稿方向
• Chiplet
• SoC/SiP
• 异质集成
• 原子制造
• 生物芯片（微流芯片）
• 微电子材料GPT
• 智能感知芯片
• 人机交互器件与芯片
• 元宇宙芯片与显示
• MEMS与硅光芯片
• 能源器件与芯片
• 功率电子器件与芯片
• 半导体装备……
办刊特色
作为钻石开源（OA）期刊，本刊提供免费获取和投稿、快速出版、免费语言润色服务，Springer 的高可见度可推动您的工作产生全球影响力。
主编团队
张建华 教授
上海大学副校长 微电子学院执行院长
新型显示技术及应用集成教育部重点实验室主任
国际显示学会（SID）北京执委会主席
长期从事微电子、集成电路、先进制造等领域的应用基础研究、工程技术研发和产学研用协同创新成果转化，发表学术论文200余篇，授权发明专利170余项，获上海市技术发明一等奖1项（2014）、上海市科技进步一等奖2项（2016，2020）等多项科技奖励。2008年入选上海市科技启明星、教育部新世纪优秀人才支持计划， 2014年入选上海市优秀学术带头人，2018年获国家杰出青年科学基金、上海领军人才、国家“万人计划”中青年科技创新领军人才，2019年获得教育部长江学者特聘计划支持、2024年获首届上海杰出人才等支持。
吴汉明 教授
中国工程院院士
浙江大学集成电路学院院长
微电子技术（集成电路制造）专家，长期工作在我国集成电路芯片产业并做出突出贡献。主持、参加了包括国家重大专项在内的0.13微米至14纳米七代芯片大生产工艺技术研发，攻克了包括刻蚀等一系列关键工艺难点，与世界先进水平差距缩小至3至5年。用理论模型支持我国首台大生产等离子体刻蚀机研发。创建了设计IP核技术公共平台，支持芯片制造产业链协同发展。建立的非平衡低温等离子体混合模型/整体模型作为教案被世界著名大学教科书采用。担任973项目首席科学家负责“量子点存储器和磁存储器技术研发”。发表著作论文116篇。授权发明专利67项。作为主要负责人，四次获省部级一等奖，包括三次国家科技进步二等奖。2014年荣获“十佳全国优秀科技工作者”称号。曾任“中国半导体技术国际会议（CSTIC）”大会主席。
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期刊网址：
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