我已经写了很多关于AUTOSAR Memory Stack相关的文章教程了，更多的案例是针对EEPROM的。
有好几个小伙伴问我，能不能写个关于Fee的。
那是当然的，不仅要写一个，要写好几个，讲详细点。
为什么大家喜欢用Fee的Fls，而不是Ea的EEPROM？我猜是成本问题，因为EEPROM要外挂额外的芯片，而Fls（DataFlash）是内置在MCU中的。
相对于EEPROM，DataFlash的缺点也是相当明显的：
擦写寿命较短；
擦写单位比较大。
你看之前文章（AUTOSAR的Memory是如何设计的？）提到的这个案例：
以下以在0x0008地址写入0x11, 0x22, 0x33, 0x44这四个字节内容为例，看看EEPROM和DataFlash的实际操作情况：
当然，这两个缺点也是有办法弥补的，不过要牺牲点时间效率为代价。
这样，项目到底用EEPROM还是用DataFlash做存储，那得根据实际使用需求做评估了。
Vector提供的Fee方案有两种：一种是常规的Standard Fee，另外一种是Small Sector Fee。
Vector的官网有详细介绍为什么有两种不同的Fee：
《Standard Fee and SmallSectorFee》(https://support.vector.com/kb/?id=kb_article_view&sysparm_article=KB0012027&sys_kb_id=8c2582281b2614148e9a535c2e4bcbe8&spa=1)
常规的Fee，一般是将Fls空间分为两个逻辑分区
在使用的时候，首先使用分区1
用完分区1后，再使用分区2
如果还要继续使用，就再擦除分区1使用，如此反复轮换使用。
我打算将这个过程原理做成视频，本文先放一段gif动图看看吧。
以上是Standard Fee的做法，这是因为Flash一把擦除单位比较大，所以才这么干的。
为了更好理解这个原理，引入两个概念：Sector和Page
姑且这么理解，Sector是Flash一次擦除的最小单位，Page是Flash一次写入的最小单位。
例如NXP S32K MCU的DataFlash的Sector大小是8K，Page大小是4Byte。
这就有个问题，一般情况下，一个数据段内容不会很大，都是很小的几个字节，第一次写倒是无所谓，如果第二次要改内容怎么办。要擦除8K的Sector才能重新写入这个更改的内容！嗯，很不合算！
于是，Fee就用了上文讲到的方法，两个Sector轮流来。
但是呢，并不是所有Flash的Sector都是很大的，也有很小的，例如瑞萨的RH850的DataFlash，Sector大小是64Byte，Page大小是4Byte。
好家伙，那就让一段应用内容数据占用一整个（即使多几个）Sector也不亏。
于是SamllSector Fee就来了。
还有个问题，一般情况下MCU内部的DataFlash的擦写周期P/E Cycle是10万次的，如果客户要求有段数据的存储擦写寿命要达到20万次怎么办。
那就要加入个叫“磨损均衡算法”的策略了，简单地理解，用双倍的空间存储这个内容。
这些策略，我在之前的文章有提及过。《AUTOSAR的Memory是如何设计的？》
这里不展开讲这些细节了，后续有机会出更多的图文或视频来讲解其原理和过程。
那接下来就是配置了，如果你学会Ea/EEP的配置，这个Fee/Fls的配置就很简单了，大部分概念和操作都是一样的。建议参考《AUTOSAR NvM模块配置详解》和《AUTOSAR Ea深度剖析》。
如果新手非要想看看Fee的具体操作配置，我后期再专门出个Fee配置的文章。
当然，我也会像之前分析Ea的方法那样，用PC的纯软件方式模拟Fee的读写行为（这可能会比Ea复杂很多）。
敬请期待！
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