环保型 Sn 基钙钛矿在高性能第二近红外窗口发光二极管 (900 nm – 1700 nm) 方面表现出巨大潜力。然而，由于 Sn2+ 易氧化，导致有害的 Sn4+ 诱导缺陷并损害器件性能，因此实现高效稳定的 Sn 基钙钛矿第二近红外窗口发光二极管仍然具有挑战性。基于此，华侨大学魏展画/ Jianxun Lu &复旦大学解凤贤团队提出了一种有针对性的策略，通过水分引发四卤化锡水解来消除 Sn4+ 诱导的缺陷，而不会降解 CsSnI3 薄膜中的 Sn2+，相关成果于2024年11月15日发表于Nature Communications期刊。在水分处理过程中，四卤化锡被选择性地水解为 Sn(OH)4，从而提供持续保护。因此，成功制造了发射波长为 945 nm 的第二近红外窗口发光二极管，实现了性能突破，外部量子效率达到 7.6%，工作寿命达到 82.6 小时。
论文信息：Guan, X., Li, Y., Meng, Y. et al. Targeted elimination of tetravalent-Sn-induced defects for enhanced efficiency and stability in lead-free NIR-II perovskite LEDs. Nat Commun 15, 9913 (2024). https://doi.org/10.1038/s41467-024-54160-x
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