共蒸发是一种可扩展的沉积技术，可以对纹理化工业硅底电池进行保形覆盖，特别适用于钙钛矿-硅串联太阳能电池 (PST)。然而，对具有适合 PST 带隙的共蒸发钙钛矿的研究仍然有限，其效率和可重复性低于溶液处理的薄膜。在这里，柏林亥姆霍兹材料与能源中心研究团队提出了一种简单的方法，使用前体材料薄层（即 PbI2、PbCl2、CsI 或 CsCl）作为空穴传输层/钙钛矿界面上的种子层。研究发现 CsCl 是我们系统的最佳种子层。用 CsCl 种子层制备的钙钛矿单结电池具有 19.6% 的功率转换效率，带隙为 1.69 eV，并且具有更好的长期稳定性。我们将观察到的增强归因于在薄膜生长过程中有机前体更精确、更一致地掺入钙钛矿晶格中。这项工作表明，设计基底表面对于实现高效稳定的共蒸发宽带隙钙钛矿太阳能电池的良好控制生长至关重要。
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