前段时间咱们的一篇内容详细介绍了有关 DDR5 内存选购指南，包括品牌、频率、时序、颗粒等各方面都有讲到。
虽说 DDR5 已注定会成为接下来的主流，但小忆还是从评论区看到很多小伙伴儿留言表示：
好家伙，都说 PC 硬件换代革新是一场持久战，这果然不假。
那么本着顺应民意，咱们今天就来给大伙儿分享下 DDR4 内存有哪些门道。
DRAM 芯片对于一整条内存权重就好比显卡的 GPU 核心。
尽管品牌旗舰定位和丐版显卡用料、散热规模可以相差非常巨大，但只要采用了同一核心，那他们实际性能差异往往不会超过 5%。
回到 DRAM 芯片上，它决定了内存高频潜力以及另一项关键参数——内存时序。
内存频率自然是越高越好，内存读写性能也会越强。
特别是很多对内存延迟敏感的游戏，相同频率不同时序的两条内存，其游戏性能表现往往差距会相当明显。
大伙儿呢只需重点关注 CL、TRCD、TRP 和 TRAS这四个时序参数即可，它们通常用符号「-」隔开。
如果非要用一句话概括：DDR4 内存颗粒可分两个阵容，一个叫三星 B-die，一个叫其他。
特挑三星 B-die 是毫无疑问断档式领先，强大的超频潜力与极低时序表现让它稳坐排行第一。
次一级的便是普通三星 B-die 颗粒，不过遗憾的是这俩老哥已经于数年前停产。
目前市面搭载此颗粒的内存已经相当罕见同时价格高的离谱，不再具有性价比。
而普通用户能正常买到表现还不错的颗粒包括国产长鑫特挑 A-die、海力士 CJR/DJR 以及镁光 C9 系列。
第三梯队三星 C-die、三星 D-die、南亚 A-die 等颗粒，主打一个开 XMP 稳定用，不再具备多少超频潜力。
至于更多其他名不见经传的颗粒，频率、时序往往惨不忍睹，不提也罢！
因此总结来说，对于很多有一定动手能力的普通用户来说，搭载第二梯队的海力士 CJR/DJR、镁光 C9 等颗粒的 DDR4 内存无疑是性价比不错的选择。
没详细标注的嘛，大概率采用混发颗粒，什么妖魔鬼怪都有，纯粹看脸抽奖了！
新内存到手，很多小白用户在上机检查没问题后便直接默认开用，这其实存在一个很大的误区。
而目前 DDR4 普遍支持 XMP（出厂前预写入一套超频文件），如果上机不开启 XMP 相当于白白损失性能。
开启方法也很简单，咱们只需在开机时按 Bios 启动快捷键进入主板 Bios（御三家主板普遍为 Del 键，其他主板也可根据型号上网查询）。
例如小忆手上的 16G*2 海力士 CJR 颗粒 DDR4 内存，默认频率为 2400MHz，时序 C17-17-17-39。
开启 XMP 后，频率为 3600MHz，时序 C16-20-20-38，内存电压 1.4V。
可以看到，内存读写性能提升高达 40% 以上，同时延迟降低了 30% 以上。
如果乐意动手对内存超个频还有更大提升。
以我手上这块华硕 B660 重炮手主板为例，进入 Bios 后关闭 XMP，按 F7 进入高级选择，点开 Ai Tweaker 页面；
然后调整内存频率，这个根据大伙儿内存颗粒来选择，如果是上图第二梯队颗粒基本上 4000MHz 没啥毛病；
内存电压需根据内存颗粒、频率、时序和体质来综合选择，常规内存不建议超过 1.45V，过高电压会导致发热增加甚至烧毁风险。
当然，三星 B-die 颗粒是出了名的相对比较耐高压，可适当放宽至 1.5V。
时序的调整同样需要根据不同颗粒、频率和体质来决定，海力士 CJR 为了稳定可以考虑设置为内存电压 1.45V、频率 4000MHz，时序 C19-22-22-42。
以上选项修改完成后按 F10 保存重启。
当然了，如果愿意花时间折腾，对内存频率、时序进行优化，同时压紧第一时序后的小参，内存性能和延迟表现提升还会更加明显。
电脑硬件如 CPU、显卡、内存条在合理范围内超频，可获得一部分额外性能的同时不会对硬件造成损坏。
但需要注意，任何超频行为都会伴随着一定风险，因此对于小白用户强烈建议多学习掌握相关知识后再进行操作。
*以上内容为小编个人看法，仅供参考！
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