高性能忆阻器已成为集成噪声图像识别和降噪的高效硬件。在此,南方科技大学王中锐,香港科技大学周圆圆和吉林大学张佳旗等人报道了一种快速开关忆阻器,其开关时间为数十纳秒,使用空位有序双钙钛矿 Cs2TiBr6 纳米晶制造。
双钙钛矿中的空间有序空位有助于导电丝的可预测形成和断裂,通过使用有限元分析物理模型进行全面仿真来探索。这些独特的微观特性抑制了随机导电丝的生长,增强了溴空位扩散,从而提高了忆阻器的开关速度。对突触样行为的进一步研究表明,基于 Cs2TiBr6 的造阻器表现出高稳健性和可重复性。
进一步将交叉条阵列忆阻器开发为用于图像去噪和分类的人工神经网络,与未去噪样本相比,预去噪图像的识别精度提高了 10%。我们的工作强调了本征空位有序忆阻材料在推进高效、实时、稳健的视觉识别方面的潜力。
Wentong Li, Yanyun Ren, Tianwei Duan, Hao Tang, Hao Li, Kaihuan Zhang, Yu Sun, Xiaoyu Zhang, Weitao Zheng, Martyn A. McLachlan, Zhongrui Wang, Yuanyuan Zhou, Jiaqi Zhang,
Vacancy-ordered double-perovskite-based memristors for image processing and pattern recognition,Matter,2024,ISSN 2590-2385
https://doi.org/10.1016/j.matt.2024.10.006.
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