据科技日报消息,美国麻省理工学院团队利用超薄半导体材料,成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。这是迄今已知最小的3D晶体管,其性能和功能可比肩甚至超越现有硅基晶体管,将为高性能节能电子产品的研制开辟新途径。相关论文发表于5日出版的《自然·电子学》杂志。
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晶体管是现代电子设备和集成电路中的基础元件,具有多种重要功能,包括放大和开关电信号。然而,受“玻尔兹曼暴政”这一基本物理限制的影响,硅基晶体管无法在低于一定电压的条件下工作,这无疑限制了其进一步提升性能,以及扩展适用范围。
为打破这一瓶颈,团队利用由锑化镓和砷化铟组成的超薄半导体材料,研制出这款新型3D晶体管。该晶体管性能与目前最先进的硅晶体管相当,能在远低于传统晶体管的电压下高效运行。
团队还将量子隧穿原理引入新型晶体管架构内。在量子隧穿现象中,电子可以穿过而非翻越能量势垒,这使得晶体管更容易被打开或关闭。为进一步降低新型晶体管“体型”,他们创建出直径仅为6纳米的垂直纳米线异质结构。
测试结果显示,新型晶体管可以更快速高效地切换状态。与类似的隧穿晶体管相比,其性能更是提高了20倍。
这款新型晶体管充分利用了量子力学特性,在几平方纳米内同时实现了低电压操作以及高性能表现。由于该晶体管尺寸极小,因此可将更多该晶体管封装在计算机芯片上,这将为研制出更高效、节能且功能强大的电子产品奠定坚实基础。
目前,团队正致力于改进制造工艺,以确保整个芯片上晶体管性能的一致性。同时,他们还积极探索其他3D晶体管设计,如垂直鳍形结构等。
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