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前言
2024年12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”或“公司”）正式在香港联合交易所主板挂牌上市，股票代码02577.HK。这是国内半导体行业的一件大事。作为一家专注于氮化镓（GaN）功率器件研发、生产与销售的企业，英诺赛科的上市不仅是企业自身发展的重要里程碑，更标志着国内第三代半导体技术加速走向国际市场。英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓芯片研发与制造的高新技术企业，产品主要包括分立器件、集成电路、晶圆、模组等。公司专注于氮化镓技术的创新，致力于为消费电子、通信、电动汽车等领域提供高性能的功率器件解决方案。凭借垂直整合的商业模式，英诺赛科覆盖了从晶圆制造到器件封测的全产业链。在2017年时，英诺赛科就开启了全球首条 8 英寸硅基氮化镓量产线，采用IDM全产业链模式，成功研制 8 英寸硅基氮化镓晶圆。2018年，第一款低压氮化镓功率器件上市，2019年，650V 高压氮化镓器件通过JEDEC，从此英诺赛科成为全球唯一一家同时量产高压和低压氮化镓的半导体公司。作为业内少数的IDM厂商，英诺赛科经过前面7年左右时间的积累，已基本形成全产品的生态链，产品涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大类。而截至2023年末，以折算氮化镓分立器件出货量计，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率高达42.4%。作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业，也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司，英诺赛科在多个技术及应用领域取得了显著成就。与6英寸硅基氮化镓晶圆相比，英诺赛科8英寸硅基氮化镓晶圆量产技术能够使每晶圆的晶粒产出数提升80%，单颗芯片成本降低30%。截至目前为止，英诺赛科GaN芯片出货量累计出货量已突破10亿颗。提到英诺赛科，就不得不提到它的明星产品InnoGaN开关管了，InnoGaN开关管具有寄生电容更小、无反向恢复电荷、单位面积导通电阻更小等优点，其开关速度比传统Si MOS快8倍以上，开关损耗可降低高达70%。得益于先进的GaN工艺与制程技术，如今英诺赛科的芯片已全面覆盖消费电子领域，并逐渐延伸至工业、汽车领域。充电头网根据多年的拆解案例，发现英诺赛科InnoGaN开关管已进入OPPO、小米、联想、安克、绿联、努比亚等诸多大厂供应链，实际应用案例超百款，也是目前市面上最先量产的先进制程氮化镓功率器件，打破了长期海外氮化镓器件厂商垄断功率器件市场的情况，加速功率器件国产化进程，为中国市场赢得了更多自主权。此外，英诺赛科自主研发的双向导通产品VGaN，作为全球首款导入智能手机内部电源开关领域的氮化镓芯片，通过采用一颗VGaN替代此前共漏连接的背靠背NMOS结构，成功实现电池充电与放电电流的双向开关功能。在相同的占板面积下，VGaN的导通电阻降低了50%，温升减少了40%，显著提升了系统的性能和效率。据悉，包括OPPO、Realme、一加等品牌厂商均已将英诺赛科的VGaN技术应用于其智能手机产品中，实现了手机全链路氮化镓快充方案的落地。而在氮化镓合封芯片领域，英诺赛科也推出过多款产品，涵盖高压、低压、驱动器等多种类型，此前充电头网也已做过详细介绍。根据弗若斯特沙利文的数据，氮化镓功率半导体产业规模增长迅速，预计到2028年，全球市场规模将达到501亿元人民币，占全球功率半导体市场的10.1%。相比传统硅材料，氮化镓凭借高频、高耐压和高电子迁移率等性能优势，已在电动汽车、数据中心、光伏发电站等领域展现出广阔应用前景。英诺赛科董事长表示：“此次成功在香港交易所上市，是公司发展历程中的重要里程碑。作为全球氮化镓行业的领军企业，我们始终致力于技术创新，推动高频、高效、绿色节能的氮化镓产品走向全球市场。这不仅是对公司过往成就的肯定，更是开启新发展阶段的起点。未来，我们将坚定推进全球化战略，与合作伙伴携手，共同引领氮化镓产业迈向绿色发展的新纪元。”此次英诺赛科在港交所主板成功上市，也意味着公司发展迈入了全新的阶段。这不仅是企业实力与潜力的象征，更是资本市场对英诺赛科技术能力和市场领导地位的高度认可。上市可为公司提供更广阔的融资渠道和资源支持，进一步夯实了其全球化发展的基础。我们也期待英诺赛科在未来的发展中，能继续巩固其在氮化镓技术领域的头部地位，推动相关技术在更广泛场景中的应用落地，助力产业链上下游的协同发展，为第三代半导体技术的高效、绿色、可持续发展贡献更大的力量。英诺赛科参加充电头网主办的2025（春季）亚洲充电展，展位号位于C区C13、C14，3月28日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。相关阅读：
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