12月30日，也就是2024年的倒数第二天，哈工大公布了一项关键性消息，这则消息的具体表述内容是，“哈工大两项目获黑龙江省高校和科研院所职工科技创新成果转化大赛一等奖”。
而这两个项目中的其中一个名为，“放电等离子体极紫外光刻光源”的项目获得了社交媒体的广泛关注，因为该项目在介绍时的表述是“具有能量转换效率高、造价较低、体积较小、技术难度较低等优势，可提供中心波长为13.5nm的极紫外光，能够满足极紫外光刻市场对光源的迫切需求”。
就单单这一项介绍，就让外界清晰的看到了该项目的应用场景，以及能够给国产芯片产业链带来的冲击，其实，这已经不是国内在EUV光源领域的第一次突破了，之前长春光机所也早就实现了EUV光源的制备，只不过和哈工大对于EUV光源的制备方式有所不同，长春光机所制备的EUV光源是通过激光等离子体的方式，这一点是和ASML公司所用方式一样，当然成本方面也会高出一些。
所以，从目前来看，单单是光源方面，我们已经有了两套方案，这两套方案各有各的优势，而我们的市场足够庞大，可以容纳两种方案并行发展，所以这就给我国EUV光刻机的发展提供了多样性选择。
到了哈工大这里，我们已经可以非常明确的一点就是，对于EUV光源，我们国内真的已经完完全全的突破了，而EUV光刻机的组成关键技术无非就是，光源技术、微缩投影光学系统、EUV多层膜技术、光学加工与检测系统、掩膜照明光学系统、反射式掩膜技术、抗蚀剂技术和精密工件台技术。
其中光源技术我们突破了，而微缩投影光学系统包括高精度弧形反射镜系统，长春光机所同样完成了突破，EUV多层膜技术同样是长春光机所在攻克并取得出色成绩，至于后面的几项技术，上海微电子、微电子所、清华大学等都有了重要研究成果，并获得了相关专利。
所以说，对于EUV光刻机的相关技术，我们已经有了很多的储备，我们和五年前的被动局面已经有了非常大的不同，而我国在EUV光刻技术领域的技术储备估计要让ASML这家欧洲光刻巨头的计划落空了，因为就在12月27日的时候，ASML公司的现任CEO克里斯托弗·富凯在公开场合发声表示，进口华为和中芯国际在半导体领域取得了显著成进步，但是他们仍然落后于英特尔、台积电和三星电子等行业巨头10到15年。
这话本质上就是基于EUV光刻机来说的，因为克里斯托弗·富凯很清楚，当下中芯国际的芯片代工工艺并不比台积电、三星电子等差多少，要不然2018年ASML公司没有发货EUV光刻机，搞不好中芯国际早就进入到5nm市场了。
但是，现在虽然ASML的光刻机没有等来，我们国产的EUV光刻机未必就不会在未来5年内问世，一旦我们的EUV光刻机问世，相信克里斯托弗·富凯将再没有任何底气来说华为和中芯国际落后台积电、三星电子多少年了。
而对于哈工大的官宣以及国产EUV光刻机的进度，外媒方面也是给出评论表示，越来越快了，感觉要不了多久，西方市场垄断半导体技术市场的局面就要被打破了。
而届时，特朗普和拜登也将成为美企里面的罪人，因为他们主导的限制操作，才让我们如此快速的走出了一条完全不同于西方市场的半导体技术路线，而我们的成功也意味着美国企业之前凭借技术优势，收割全球市场的好日子过到头了。
