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突发！Qorvo卖掉SiC业务！​安森美接盘！

科技   2024-12-10 18:14   浙江  




安森美宣布以1.15亿美元现金收购Qorvo的碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务及其子公司，以补足其EliteSiC电源产品组合。此次收购将帮助安森美应对AI数据中心电源的高能效和高功率密度需求，并加速在电动汽车断路器和固态断路器等新兴市场的部署。SiC JFET具有超低导通电阻和兼容现成驱动器的优势，为电源设计和数据中心运营提供显著价值。






安森美收购Qorvo碳化硅业务，强化EliteSiC产品线


安森美半导体公司近日宣布，将以1.15亿美元现金收购Qorvo的碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术业务及其子公司United Silicon Carbide。此次收购旨在补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，以满足人工智能（AI）数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求。通过引入SiC JFET技术，安森美将能够加速在电动汽车断路器和固态断路器（SSCB）等新兴市场的部署，为客户提供更多优化能耗和提高功率密度的选择。


SiC JFET技术：超低导通电阻与现成驱动器兼容性


SiC JFET技术的核心优势在于其单位面积导通电阻超低，低于任何其他技术的一半。这种特性使得SiC JFET能够显著降低能耗，同时保持高能效。此外，SiC JFET还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器，这进一步简化了设计和集成过程。安森美电源方案事业群总裁兼总经理Simon Keeton表示，随着AI工作负载的日趋复杂和高耗能，能够提供高能效并处理高压的可靠SiC JFET将变得越来越重要。因此，通过此次收购，安森美将能够为客户提供更加高效和可靠的电源解决方案。


UnitedSiC的发展历程与SiC技术的市场前景


回顾UnitedSiC的发展历程，该公司自被Qorvo收购以来，一直在碳化硅功率半导体领域取得显著进展。UnitedSiC的产品组合涵盖了80多种SiC FET、JFET和肖特基二极管器件，其中包括基于共源共栅配置的第四代SiC FET，其额定电压为750V，RDS(on)为5.9mΩ，达到了行业领先的水平。这些产品为电动汽车充电器、DC-DC转换器、牵引驱动器以及电信/服务器电源、变速电机驱动器和太阳能光伏（PV）逆变器等应用提供了更高的效率和性能。
展望未来，SiC技术将与IGBT展开日益激烈的竞争，并有望最终占据主导地位。UnitedSiC前总裁兼首席执行官Chris Dries表示，到本世纪末，碳化硅可能会开始在高功率汽车中占据主导地位。这一预测基于SiC技术不断改进的开关性能和RDS(on)，以及其在降低解决方案成本和提高能源效率方面的潜力。此外，拥有多样化的供应链和参考设计解决方案对于加速SiC技术的采用至关重要。Qorvo和UnitedSiC的综合经验使他们能够在汽车解决方案方面提供一定程度的差异化，并通过创新的技术和控制机制为客户带来附加值。
安森美对Qorvo碳化硅业务的收购不仅增强了其自身的EliteSiC产品线，还推动了SiC技术在AI数据中心电源和电动汽车等新兴市场的应用。随着SiC技术的不断发展和成本的降低，它有望在未来成为高功率汽车和能源转换系统的核心组件。
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