SK海力士11月8日宣布，在位于京畿道利川市的总部举行了“第六届创新专利奖”颁奖典礼。
与获奖者一起，金东燮社长（负责对外合作）、企业中心社长宋贤钟、金周善社长（负责AI基础设施）等主要高管出席了此次活动。
创新专利奖于2018年首次启动，旨在评选和奖励克服技术挑战、对经营业绩有较高贡献的优秀专利。今年，该公司共评选出10项专利（金奖2项、银奖3项、铜奖5项），并支付了总计2.075亿韩元(107万元人民币)的奖金。
SK海力士强调，“创新专利奖有助于形成良性循环结构，通过提高成员的专利意识和研究动力，创造优秀的专利并提高管理绩效。”
今年的最高奖项金奖授予了开发了一项提高 HBM 测试效率的专利的 Taesik Yoon, TL（AI Infra）和开发了一项提高HBM和DRAM纠错功能效率相关专利的 Changhyun Kim, TL（DRAM Development）。
Taesik Yoon 表示：“我很高兴因在提高 HBM 等公司核心产品的测试能力方面做出的贡献而获得认可，我希望继续发明创新技术，为公司的发展做出贡献””。
Kim Chang-hyeon 表示：“纠正内存操作过程中发生的错误的技术是提高内存可靠性的非常重要的一部分，我们将继续研究和开发，以进一步推进该领域的技术。”
银奖授予了 Sang-muk Oh 和 Taesik Yoon TL (AI Infra)、Bying-in Kang、Nak-gyu Park 和 Han-gyu Lee TL (P&T)、Ki-hong Lee 和 Ji-yeon Baek TL (未来技术研究所），铜奖则授予 Jin-hoon Hyun、TL Chang-hyeon Lee（DRAM 开发）和 No-geun Joo TL（TL）、Eunji Choi 和 Geunseon Ahn TL（NAND 开发） ), Hungju Na TL (解决方案开发),授予 Dong-ju Yang 和 Seung-hoon Sa (TL)（CIS 开发）。
由于外部日程安排而未能出席此次活动的 SK 海力士首席执行官郭鲁正在一份书面声明中表示：“感谢成员们通过比以前更具竞争力的专利来增强 SK 海力士的技术能力，我对此充满信心。我们对公司和半导体行业充满信心。我们将通过持续的技术开发和发明进步，进一步巩固我们作为全球第一人工智能存储器公司的地位。”
SK海力士对外合作社长金东燮表示：“通过创新专利奖励制度，今年已是第六届，共评选出60项优秀专利，表彰了公司内部各类人才的贡献。未来我们会继续运营这个系统，支持我们的技术创新。”
SK海力士企业中心总裁宋贤钟表示：“积累的人才库和知识资产是增加技术公司价值的关键指标，我们将继续鼓励会员的技术开发，以进一步提高公司的技术水平”。
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