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https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/adma.202407681
开发带隙 (Eg) 约为 1.7 eV 的高质量宽带隙 (WBG) 钙钛矿对于与硅耦合并创建高效的硅/钙钛矿叠层器件至关重要。运行时开路电压 (VOC) 损耗大和功率输出不稳定的困扰不断凸显了充分开发高质量 WBG 钙钛矿薄膜的重要性。在本研究中，将铷和硫氰酸盐作为 WBG 钙钛矿中的添加剂调节剂加入，显著减少了非辐射复合、离子迁移和相分离。优化的 1.66 eV Eg 钙钛矿太阳能电池实现了最先进的 1.3 V VOC（0.36 V 损失），并实现了 24.3% 的稳定功率转换效率，以及良好的器件稳定性（在 1 个太阳辐射下约 65°C 运行 994 小时后衰减 20%（T80））。当与平面正面硅电池集成时，可获得硅/钙钛矿两端串联器件（效率为 30%），其 VOC 为 1.97 V，T90 工作寿命在室温下超过 600 小时。
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