据相关行业人士11月9日透露，三星电子和SK海力士计划从明年下半年开始量产12层HBM4。
半导体公司计划从 HBM4 开始认真应用新工艺“混合键合”。哪家公司首先稳定应用混合键合技术将决定HBM4市场的胜负。
祥明大学系统半导体工程教授 Lee Jong-hwan 表示：“ 16层HBM4需要更多连接孔，因此确保成品率将更加困难。英伟达很可能会给SK海力士订单，三星电子确实处于劣势，因为SK海力士的产品发布得更快。”
多数业内人士认为，SK海力士也将在HBM4市场占据领先地位。然而，一些人认为三星电子很快就会迎头赶上，因为它的产能是 SK 海力士的两到三倍。
三星电子在 HBM2 和 HBM2E 市场领先于 SK 海力士。然而，当世代改为HBM3时，领先优势被SK海力士夺去。由于每一代都有很大的变数，三星电子将希望寄托在HBM4上。
三星电子从 HBM4 开始应用新的键合技术——混合键合。
混合键合也称为“铜对铜”键合。这些芯片仅使用电介质和铜材料直接相互连接，将电介质氧化膜和金属材料铜放置在晶片中，并通过CMP工艺（即抛光工艺）使铜和电介质平坦。铜经过“凹陷”过程，将其挖入更深的孔中以进行后续热处理。然后，通过等离子体辐射工艺激活每个芯片的介电表面以进行化学键合。然后，进行芯片与芯片的贴附（接合），并且电介质与电介质接合，以及铜与铜与铜接合。此外，它还经过热处理，施加150度的热量以确保牢固的连接。150至350度的高温施加到铜部件上，导致铜膨胀并最终填充凹槽并相互粘在一起。
关键是与现有方法相比，混合键合很难获得更好的良率。因此分析，收益率将是决定企业成败的因素。
此外，三星电子预计将使用自己的代工厂生产自己的“基础芯片”，但在第三季度财报公布后举行的电话会议上，三星电子保留了与台积电联手的可能性。然而，台积电是否会与三星电子合作，仍然存在不同意见。
该公司相关人士表示，“如果三星电子、台积电合作，那么两家公司之间必须共享工艺信息。由于三星电子有自己的代工厂，台积电将部分代工工艺暴露给三星电子，这也是三星电子的一个优势。台积电可能会拒绝与三星电子的HBM4合作。”
对此，Jong-Hwan Lee预测，“即使台积电公开了工艺，核心也可能会被省略。由于三星电子需要台积电来扩大HBM4客户，因此两家公司之间合作的可能性很大。”
SK海力士计划从第7代“HBM4E”开始应用混合键合方法。
11月5日，在釜山举行的“ISMP-IRSP 2024”上，SK海力士副社长李康旭公布了HBM封装路线图。根据路线图，从HBM4E开始将采用混合键合技术。
此前，SK海力士宣布将与HBM4并行使用现有的MR-MUF技术和混合键合方法，此次具体公开了引入混合键合的时机。
这一天，李康旭预测，20层或更多层的第8代HBM5将完全转向混合键合系统。他强调，“我们可以继续使用现有的层压方法直至HBM4，但从HBM4E开始需要进行新的封装工艺转换。堆叠 DRAM 之间的间隙必须最小化，并且热管理能力必须提高。”
SK海力士和NVIDIA同意将HBM4的供应比原计划推迟6个月，但仍然具有灵活性。
SK 海力士副总裁 Park Moon-pil 表示：“由于我们预计 HBM4 将会有大量定制订单，因此我们计划准备一个定制内存平台，将我们的内存技术和研发能力与客户的 IP 和工艺相结合，我们将积极回应请求”。
不过，SK集团董事长Chey Tae-won表示，“需要完成一些流程来证明‘查询’能够在新芯片上正常工作。”目前还不清楚（供应）时间是否会提前。”
同时，已知SK海力士在通过台积电代工工艺生产HBM4逻辑芯片时使用5nm工艺和12nm工艺。SK 海力士预计将生产 JEDEC 标准产品和定制 HBM4，因为并非所有 HBM 产量都已转换为定制产品。
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