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https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/smll.202404966
通过原子层沉积 (ALD) 合成的氧化锡 (SnOx) 薄膜广泛应用于各种光电设备，包括电化学传感器、晶体管和光伏电池。然而，关键的 ALD-SnOx 前体四(二甲酰胺)锡 (IV) (TDMASn) 的完整性及其对最终薄膜性能的影响仍未得到探索。本文报道了 TDMASn 通过 Sn-亚胺复合物显著降解为双(二甲酰胺)锡 (II)，并研究了其对相应薄膜和设备的影响。令人惊讶的是，发现这种降解不会影响 ALD-SnOx 薄膜的生长动力学和形态。但它会显著降低其电子性能，导致薄膜的电阻增加一倍，这是由于降解产物的氧化机制不同。采用此类薄膜的钙钛矿太阳能电池的功率转换效率显著下降，主要是由于电荷传输和转移损失。这些发现敦促人们采取策略来稳定 TDMASn（ALD-SnOx 薄膜的关键前体），或寻找替代材料来实现高效可靠的器件。
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