【动态】瞻芯电子推出2款新型TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET,助力高效高密电源设计

政务   2024-11-29 17:04   上海  

为了满足高密度的功率变换的需求,国际创新协同区入驻企业瞻芯电子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅(SiC)MOSFET产品,具有低损耗、散热性强等特点,让系统设计更紧凑、更高效,组装时能自动化生产。




目前有2款TC3Pak封装产品IV2Q12040K1Z和IV2Q12080K1Z通过了汽车级可靠性认证(AEC-Q101),采用成熟的Gen-2 SiC MOSFET技术,驱动电压兼容15V~18V,具有高频开关、低损耗等特点。



顶部散热封装TC3Pak

传统的表面贴装器件依赖PCB板散热或导热,限制了碳化硅MOSFET大功率的应用优势。新型TC3Pak封装顶部可紧贴外部散热器,不依赖PCB散热,从而显著抑制SiC MOSFET温度升高,帮助系统实现更高功率、更可靠地工作运行。
TC3Pak封装具有Kelvin源极引脚,可有效抑制驱动电压尖峰,减小开关损耗,有助于发挥SiC MOSFET高频开关优势,进一步提升系统效率。
TC3Pak封装外形紧凑,支持表面贴装,安装简便,示意图如下:


典型应用



采用TC3Pak封装的1200V SiC MOSFET因低损耗、高频开关、散热性强等特点,主要适用于下列高效率、高密度应用场景:
1、车载充电机(OBC)
2、车载DC/DC
3、车载空压机控制器
4、光伏逆变器
5、AC/DC电源





来   源:临港科技城

编   辑:陈思怡


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