一、为什么芯片电源引脚要加一个100nF电容？
这个去耦电容的作用有几个方面：
1.滤除电源上的高频噪声。电路中给芯片供电的电源平面一般都有很多高频的噪声，为了使芯片的输入电源干净，所以一般在芯片电源引脚加一个电容滤除电源中的高频噪声。
2.储能，当负载需要瞬时电流时，电容率先为其提供电流，减小电源产生的波动
3.给高频信号提供最近的低阻抗回流路径，减少对其它芯片电源的干扰。电流永远是闭合的，从哪里来，就要回到哪里去，不管是电流或者位移电流的形式，高频信号回流选择感抗最低的路径。
看下电容的等效模型，可看成一个电感，电容然后还有电阻的串联，ESL称为等效电感，ESR称为等效电阻，C为电容的理想容值。
等效的阻抗Z=ESR+jwl+1/jwc，其中w=2πf
那么，就有那么一个频率f=f0，使得Z=ESR，这时电容就相当于一个纯电阻，整个电容这时阻抗最小，这个频率f0我们称为电容的谐振频率。当信号频率小于f0时电容呈现容性，电容等效于一个电阻和电容的串联；当信号频率大于f0时电容呈现感性。电容当作高频滤波或回路时，应该工作在容性的条件下，因为电感对高频信号具有阻碍作用；也就是信号的频率应当小于电容的谐振频率。
下面我们来看下某厂商贴片陶瓷电容ESR随频率的变化曲线：
这个是10nF的，最低点就是谐振频率点的ESR，小于谐振频率电容呈容性，大于谐振频率电容呈感性。从图中可以看到这个10nF电容的谐振频率大概是60MHz；
这个是100nF的，谐振频率大概是15MHz
这个是1uF的
因为我们常用的数字芯片其信号频率基本都在10MHz以下，电源上的干扰或者其自身产生的干扰信号也大概在这个范围，所以我们的常用的经验值一般用100nF的电容，如果器件信号频率比较高我们可以选择容值小点的电容。
电容容值与频率，我们可以参考下面的：
频率范围 | 推荐容值 |
DC-100K | 10uF以上电容 |
100K-10M | 100nF电容 |
10M-100M | 10nF电容 |
>100M | 1nF电容 |
电容放置的要求：
1.尽可能靠近芯片电源引脚；
2.尽量每个电源芯片引脚都有；
3.根据芯片的信号频率修改电容的容值，多电容并联时，容值小的越靠近芯片
二、去耦电容的“滤波半径”
现在稍有经验的layout工程师都知道在BGA里面不同封装的去耦电容从小到大应该按下图这样放置：从小电容到大电容采取从近到远的方式。
具有SI、PI知识的工程师会说这样有利于改善电源PDN系统的性能，理论上是电容都应该离芯片引脚越近放置越好，尤其是小电容，比大电容更应该靠近芯片端。为什么呢？专业用语叫小电容的去耦半径更小。所谓去耦半径，无非是研究噪声源和电容补偿电流之间的相位关系。当芯片电流发生变化时，会在电源平面的一个局部区域内产生电压波动，由于信号在介质中传播需要一定的时间，因此从局部电压波动到电容感知到这一波动之间有一个时间延迟。同样，电容的补偿电流到达波动区域也需要一个延迟，因此必然造成噪声源和电容补偿电流之间的相位上的不一致。从应用来说，就是每个电容在与它的自谐振频率f（波长为λ）相同频率下的噪声补偿效果最好，相位差越小越好，λ/4时电容失效，出现反谐振。在实际应用中，我们一般取小于λ/50比较稳妥。
三、为什么运放电路一般都会加这几个电容，到底有啥用？
1.电源VCC接地线的电容C1：这个电容主要就是起个滤波的作用，让我们的电源网络更干净一些，抑制干扰信号。选择值的话，一般是选103、104或105；主要就是看运放工作时的频率，通常频率高的时候，电容就会选小一点，反过来就是容量大的。
2.反馈的输入输出引脚之间C2：
这个电容有两个作用：1）频率上的补偿作用，补足输入电容带来的响应速度慢的问题，阻止运放自己瞎颤。2）滤波，过滤掉高频的干扰信号，防止影响后边儿的电路。选择值的话，通常就是几十pF的水平。
3.正负两个输入端之间的那个电容C3：这个电容的作用是抗干扰。打个比方，假设同相输入端一下子来了一个很强的干扰信号，那么同相输入端的电压会高于反相输入端，输出端马上就会出现一个骚扰信号，但只要有电容在，输出端就能迅速通过电容反馈给反相输入端，这是因为电容两端的电压不能瞬间乱变，因此这个信号就能完整地加到反相输入端，这两个正负输入端就能相互抵消了。选择值的话，一般就是几pF到几十pF。
四、50V的μF级MLCC电容在24V/28V工况下应用为什么容易发生短路？
平板电容的计算公式如下：
ε是介电常数，S是极板的相对面积，d是极板之间间距，4πk是常数。要想获得大容值的电容，则ε↑、S↑、d↓均可。但从MLCC（Multi-layer Ceramic Capacitors）的名字中就可以看出来，介质为陶瓷，ε已经不能变了。只能在S、d上做文章了。于是，电容厂家有了一个办法，设计出了层叠式结构（下图）：
这样的话，平板电容里的两个极板各只有一面能发挥作用，S有了较大浪费；而采用MLCC的层叠式结构，每个极板的两面几乎全能用上，则计算公式中的S增大到了近2倍；而且，通过减小极板间距，C值会变大；极板间距小了还可以多增加几层，就增大了极板面积，也会使容值增大。但是，极板间距小了，E=U/d，d变得很小，即使极板间电压稍稍增加一点点，则E岂不是会增大很多，陶瓷介质变得很薄，容易被变大的E击穿。
因此，得出一个结论：大容值的MLCC电容，耐电压击穿电压波动能力其实是比较弱的，再加之电容生产过程的陶瓷介质片的厚度一致性难控制问题，电压波动、上电浪涌电压等场合下，MLCC电容被击穿也就在所难免了。
解决办法：大容值的MLCC电容选择封装尽量大一点，间距可以做大点，耐电压波动能力强一点；用多个小容值高耐压MLCC电容并联实现大电容高耐压的应用。
五、为什么220V电路板有安规电容？
只要是接有220V的电路板，一般都会看见安规电容的存在。
安规电容可细分为X电容和Y电容；X电容本质就是聚酯电容，Y电容本质就是瓷片电容。安规电容的作用是滤除高频干扰（这些干扰可能来自雷电产生的干扰或插拔产生的干扰）：X电容是接在火线和零线之间；Y电容分别是接在火线和地线之间、零线和地线之间。可以看出，X电容在电路中起到差模干扰的作用，而Y电容起到共模干扰的作用。
X电容不能替代Y电容，因为Y电容的耐压值比X电容大。
