中欣晶圆12英寸BCD硅片产品取得技术突破
12英寸轻掺BCD
近日，中欣晶圆12英寸轻掺BCD硅片产品取得技术突破，良率达到行业先进水平，通过国内外客户验证并已实现规模量产。
中欣晶圆的12英寸轻掺BCD硅片产品，先进的COP Free及BMD控制晶体生长技术，以及高平坦度、洁净度的产品加工平台，使得产品具备优异的性能表现，未来将持续供应，为客户提供优质的产品。
中欣晶圆将继续秉持初心，持续技术创新，满足日益增长的硅片市场需求，为中国半导体行业的贡献更多的智慧与力量，实现半导体硅材料的“中国智造”。
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BCD
一、BCD的概念
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）技术是一种单片集成工艺技术，将BJT（双极型晶体管）、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工艺，1985年由意法半导体率先研制成功。随着集成电路工艺的进一步发展，BCD工艺已经成为功率集成电路的主流制造技术。
图片来源：意法半导体官网
Bipolar（双极型）工艺适合生产模拟功能器件，具有截止频率高、驱动能力大、速度快、噪声低等优点。CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺适合生产数字功能电路，具有集成度高、功耗低、输入阻抗高等优点。DMOS（双扩散金属氧化物半导体）工艺适合生产功率器件，具有高压、大电流的特点。
二、BCD工艺的优点
BCD工艺把Bipolar器件、CMOS器件、DMOS功率器件同时制作在同一芯片上，综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点；同时DMOS可以在开关模式下工作，功耗极低，不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。
BCD工艺有更高的可靠性、更少的电磁干扰以及更小的芯片面积，拥有更佳的电性参数，可大幅降低功率耗损，提高系统性能，节省电路的封装费用，并具有更好的可靠性，提供了更具竞争力的制造方案。
三、BCD的发展情况
意法半导体目前依然是全球领先的BCD工艺制造商，已经生产了500万片晶圆，售出400亿颗芯片，仅2020年就售出近30亿颗芯片，此前主要是350nm、180nm、110nm等，最新量产的十代工艺是90nm。
在模拟与电源管理平台，BCD技术工艺在国内晶圆代工行业起步较早，并已实现规模量产，中芯国际、华虹半导体、华润微、士兰微、芯联集成等企业在BCD工艺方面取得了突破。
BCD技术正朝着高电压、高功率、高密度三个关键方向发展，广泛应用于电源管理、模拟数据采集和功率执行器等领域的产品和应用，以满足汽车电子、工控、消费电子等不同应用场景对高电压耐受、小型化、高集成度等的需求。
参考资料来源：意法半导体、电子工程专辑
