报告摘要
事件：三星拟在第9代V-NAND的金属布线艺过程中应用钼元素
近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，该产品拥有当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度，在位密度、功耗、数据输入/输出速度等方面都比第八代产品更有优势。同时，三星拟在新一代V-NAND的金属布线工艺中使用钼金属替代钨金属，并已引进5台钼沉积机用于该工艺，预计未来一年内将再引进20台同类设备。钼具有高电导率、低电阻和优异的耐久性等特点，以上特性将使得V-NAND闪存在数据传输速度、存储密度和耐用性等方面实现显著提升。随着钼技术的逐步普及和成熟，它还有望成为未来NAND闪存制造中的一个重要趋势，推动整个行业的技术进步和发展。
对比传统的钨材料，钼金属更符合NAND技术发展趋势
NAND技术是指NAND型闪存（NAND flash memory）技术，它是一种非易失性存储技术，用于制造高容量的数据存储设备，当前的技术方向是通过能构建更多层数的3D NAND工艺以提高NAND的性能，并广泛应用于便携式电子设备和数据存储。其中，金属栅极作为晶体管的一部分，主要功能是控制晶体管的开关状态，由于金属栅极材料通常具有较低的电阻率，对减少器件的功耗并提高性能具有重要的意义，同时金属栅极能适应3D NAND技术，提供必要的电气连接和控制。此前，三星主要使用钨元素作为金属栅极，但钨沉积过程中产生的残留氟成分溢出会损伤结构。此外，随着层数的增加，也要求缩小层厚以控制堆叠的高度。三星使用钼元素制成的金属栅极在小尺寸具有较低电阻率，可以有效降低层厚，允许在NAND中堆叠更多层数。
钼资源：供给逐步刚性，需求稳步增长
本报告摘自：《开源证券_有色金属行业点评：三星NAND材料引入新元素，钼下游或迎增量》
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