迈为HJT设备

学术   2024-10-22 08:02   安徽  

CVD:NP双面微晶是提效的关键,VHF+小腔体能够解决沉积速率和均匀性的问题。
相较于传统非晶硅薄膜,微晶硅薄膜透光率更优、缺陷密度更低、掺杂效率更高、导电率更高,从而获得更高的转换效率,微晶工艺难点在于解决生产节拍较慢及均匀性的问题:制备微晶硅需要增加氢稀释率,RF电源的沉积速率比较慢,解决方案包括提高功率、提高频率、增加设备等。
迈为采用了增加频率的方案,采用VHF电源,提升镀膜速率(较RF提升2倍以上)、降低氢气用量(较RF节省70%左右)、效率比RF高0.5%以上,但VHF的问题在于均匀性变差,从下左第三张图表明,四分之一波长是PECVD腔体尺寸的极限,尺寸不能大于四分之一波长,RF频率为13.56mhz,四分之一波长是6米,即RF搭配尺寸为6米的大腔体,VHF频率为40mhz,四分之一波长为2米,即VHF搭配尺寸为2米的小腔体。该工艺主要的优势是可以提高电池片效率0.2%左右。

迈为发往通威的首台套1GW PECVD设备表现符合预期。1GW PECVD机台载板面积 2.750×2.750m2,相比600MW PECVD机台载板面积 2.015×2.030m2,增大85%。大载板受驻波效应影响更明显,载板内镀膜均匀性挑战更大。经过两次重大升级改造,1GW PECVD载板内效率均匀性得到明显改善。

在HJT电池生产的第三道TCO薄膜沉积工序中,行业内常用的TCO镀膜方法为磁控溅射(PVD)和反应等离子体沉积(RPD),两种方案各有千秋,PVD因生产成本低成为市场主流。迈为推出的PED设备将PVD腔体与RPD腔体进行结合,可使用高迁移率的靶材,从而提效;还可使用无铟的靶材,从而降本,但降本的前提必须是不损失效率。在不采用PED设备的情况下,只采用PVD设备很难实现无铟的同时不损失效率。

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