河南大学,第一单位发Nature!

学术   2024-11-21 11:56   河南  

研究背景
量子点发光二极管(QD-LEDs)因其高量子效率和出色的单色性,成为下一代显示器和照明技术的佼佼者目前,最先进的QD-LEDs是用基于镉(Cd)的II-VI QDs制成,但镉的毒性限制了它们的实际应用。因此,基于InP、ZnSe和ZnTeSe的QDs被认为是镉基QDs的理想无毒替代品,并在实现高效率和稳定性方面取得了显著进展。例如,红色InP基QD-LEDs和蓝色ZnTeSe QDs的峰值外部量子效率(EQEs)超过20%。尽管如此,绿色InP基QDs的绿色无镉QD-LEDs仍然具有较低的EQEs(16.3%),这对实现完全无镉QD-LED显示器和照明构成了严峻挑战。
与CdSe基QDs相比,InP基QDs具有较低的电子有效质量(0.077m0对0.13m0,其中m0表示真空中自由电子的质量),这应使电子注入更容易。然而,InP的导带最小值较高,可能会导致电子注入势垒增加,特别是在绿色InP基QD-LEDs中。这些相互影响的因素增加了这些器件中电子行为的复杂性。截至目前,关于InP基QD-LEDs中电子是过剩还是不足的问题尚未有定论这需要截然不同的器件工程策略。因此,直接测量工作状态下QD-LEDs中的电荷载流子至关重要,但在现有表征技术中仍充满挑战
研究成果
近日,河南大学(本文第一单位)申怀彬教授、陈斐博士&中国科学技术大学樊逢佳教授&北京交通大学唐爱伟教授通过电激励瞬态吸收光谱,揭示了最先进的绿色无镉QD-LEDs(主要采用InP–ZnSeS-ZnS核-壳-壳结构)效率低下的原因:源于ZnSeS夹层施加了高注入势垒,限制了电子浓度和陷阱饱和。实验和理论分析表明,用加厚的ZnSe夹层代替ZnSeS夹层,可以有效改善电子注入并抑制泄漏,使得在543nm发射的绿色InP基QD-LEDs中,在1000cd·m-2的初始亮度下,可以实现26.68%的峰值外量子效率和1241h的T95寿命(亮度降至初始值95%的时间),分别比之前的最佳值高出1.6倍和165倍。相关研究工作以“Efficient green InP-based QD-LED by controlling electron injection and leakage”为题发表在国际顶级期刊《Nature》上。值得一提的是,本文的第一单位为河南大学,这是河南大学首次以第一单位发表Nature论文,祝贺!
研究内容
研究者使用电激励瞬态吸收(EETA)来量化工作的绿色InP基QD-LEDs中的电子浓度。通过对比不同波长发射的InP基和高性能CdSe基QD-LEDs,发现最先进的绿色InP基QD-LEDs(主要采用InP-ZnSeS-ZnS核-壳-壳结构)中电子浓度偏低,这是由于ZnSeS夹层施加的高注入势垒。因此,辐射复合并未比非辐射捕获更有效,从而导致了量子效率低和寿命短。为解决这一问题,研究者提出用ZnSe代替广泛使用的ZnSeS合金夹层来提高量子点中的电子浓度,但这一改变可能会增加电子泄漏。进一步建议增加ZnSe层的厚度,以减轻泄漏并保持有效注入。通过这一策略,研究者成功在543nm下发射的绿色InP基QD-LEDs中,在1000cd·m-2的初始亮度下,实现了26.68%的峰值EQEs、超过270000cd·m-2的亮度和1241h的T95寿命,据我们所知,这些性能指标均超越了当前的最佳记录。这些实验结果可以用Wentzel-Kramers-Brillouin(WKB)量子隧穿模型很好地解释。
图1. EETA光谱
图2.绿色InP基QD-LEDs提高EQEs的策略
图3. QD-LEDs中电子注入和泄漏的隧道模型
图4. 高性能InP厚ZnSe-ZnS QD-LEDs的表征
结论与展望
总结而言,通过使用EETA光谱,研究者揭示了目前研究最广泛的绿色InP-ZnSeS-ZnS QD-LEDs效率低的根本原因,即低电荷浓度引起的陷阱饱和不足。鉴于高注入势垒主要来自ZnSeS夹层,研究者采用纯ZnSe夹层来促进电子注入。然而,这会导致电子泄漏增加。通过进一步增加了ZnSe层间壳以减轻泄漏,最终在1000cd·m-2的初始亮度下,实现了26.68%的EQEs和超过1000h的T95寿命,这两项指标对于InP基绿色QD-LEDs来说都是前所未有的。WKB量子隧穿模型可以合理地解释这一策略,预计这一方法可以扩展到其他电子浓度低的QD-LEDs,如蓝色QD-LEDs。因此,降低壳层能量势垒和增加壳层厚度应成为改善这类QD-LEDs性能的重要初步尝试。
论文链接:
https://www.nature.com/articles/s41586-024-08197-z
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