第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024）将于2024年11月6日至8日在中国·深圳坪山格兰云天国际酒店隆重举行。本次会议以“芯时代开放创新·芯机遇合作发展”为主题，将设置大会报告、专场报告、口头报告、海报展示、新产品新技术展览等多种形式，聚焦宽禁带半导体（SiC，GaN，Ga2O3，AlN，Diamond）相关材料、器件、模块及前沿应用跨学科、多主题，针对全球行业发展焦点、热点、痛点，汇聚全球知名专家学者、企业领袖、行业精英，共同交流宽禁带半导体材料发展的前沿技术成果和最新市场动态，畅享全球技术应用新思路、新赛道，交换产业前瞻新观察、新观点。
会议信息 / APCSCRM 2024 Information
一、会议名称/Name：
“芯时代开放创新·芯机遇合作发展”——第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024）
Open·Innovation·Collaborative Development——the 5th Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2024)
二、会议时间地点/Date&Venue:
2024.11.6—11.8
中国·深圳，深圳坪山格兰云天国际酒店
Grand Skylight International Hotel,
Shenzhen, Guangdong,China
三、会议网址/Website:
https://apcscrm2024.casconf.cn/
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四、组织机构/Organization:
五、会议安排/Schedule：
五、报名参会/Register：
扫码立刻报名
Scan to Register
会议委员会 / APCSCRM 2024 Committee
大会联合主席 / General Assembly Co-Chairs
陈小龙/Xiaolong CHEN
中国科学院物理研究所/研究员；
北京天科合达半导体股份有限公司/首席科学家；
宽禁带半导体技术创新联盟/理事长
Institute of Physics,CAS， Researcher；
Beijing TanKeBlue Semiconductor Co., Ltd. ,Chief Scientist；
Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology (IAWBS)/President
Kevin J . CHEN
香港科技大学，首席教授，中国香港
The Hong Kong University of
Science and Technology ，Chair Professor, Hong Kong, China
Daniela Gogova
林雪平大学，首席研究员，保加利亚
Linköping University，Principal Research Engineer， Bulgaria
顾问委员会 / Advisory committee
Hiroshi Kanazawa、Noriyuki IWAMURO、Won-Jae LEE、Guo-quan LU、Josef LUTZ、Gourab MAJUMDAR、Tadatomo SUGA、Katsuaki SUGANUMA、Toru UJIHARA、郝跃、江风益、李树深、刘明、刘胜、刘益春、罗毅、彭练矛、田永君、屠海令、王占国、杨德仁、叶志镇、俞大鹏、张跃、郑婉华、郑有炓、祝宁华、祝世宁、邹广田
组织委员会 / Organizing committee
Andy、Manabu ARAI、Tony Chau、Hsien-Chin CHIU、Poshun CHIU、Andy Chuang、Yasuto HIJIKATA、Lee Kung-Ye、Chi Chung Ling 、Teng LONG、Li LongZheng、Hideharu MATSUURA、Tokuyasu MIZUHARA、Chulmin OH、Noboru OHTANI、Norbert Pluschke、Man Hoi Wong 、Liang Wu、Hidekazu YOKOO、敖金平、柏松、陈弘达、丛茂杰、董博宇、郭丽伟、郝建民、贾志泰、金鹏、于彤军、马雷、李晋闽、李忠辉、李泠、林健、刘冰冰、刘国友、刘建利、刘锋、龙世兵、陆海、马琰铭、马晓华、潘林、皮孝东、秦明礼、沈波、唐为华、陶绪堂、万玉喜、王宏兴、王燕、温旭辉、徐科、杨媛、杨小天、杨霏、于洪宇、张源涛、张清纯、郑雪峰、仲正、朱嘉琦
程序委员会 / Procedure committee
主席：彭同华 (天科合达 董事/常务副总经理)
副主席：刘祎晨、曾江、王文军、许恒宇
委员：陈炳安、陈蛟、陈天宇、邓小川、冯淦、高冰、关赫、郭辉、郭建刚、郭清、郭钰、韩景瑞、和巍巍、侯喜锋、黄志伟、霍永隽、吉丽霞、贾强、贾仁需、金锐、金士锋、孔令沂、雷光寅、李辉、李赟、梁琳、刘春俊、刘南柳、娄艳芳、梅云辉、倪炜江、宁圃奇、钮应喜、潘建宇、潘尧波、任泽阳、史慧玲、宋波、宋华平、汤益丹、王晨曦、王东萃、王刚、王蓉、王伟达、王英民、魏进、徐永宽、许照原、闫方亮、杨恒、杨树、应天平、袁俊、曾正、张峰、张国强、张瑾、张楠、张星、张旭芳、张泽盛、张紫辉、赵鹏、郑红军、郑伟、郑泽东、钟蓉
*（以上排名均按姓氏首字母排序）
（Alphabetically by surname）
部分参会嘉宾 / Part of Guests
郝 跃 / Yue HAO
中国科学院院士，西安电子科技大学，教授
Academician of Chinese Academy of Sciences；
Xidian University，professor，China
刘 胜 / Sheng Liu
中国科学院院士，武汉大学，教授
Academician of Chinese Academy of Sciences;
Wuhan university，professor， China
陈小龙 /Xiaolong CHEN
中国科学院物理研究所，研究员；
北京天科合达半导体股份有限公司，首席科学家；
宽禁带半导体技术创新联盟，理事长
Institute of Physics,CAS， Researcher；
Beijing TanKeBlue Semiconductor Co., Ltd. ,Chief Scientist；
Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology (IAWBS)/President
Kevin J . CHEN
香港科技大学，首席教授，中国香港
The Hong Kong University of Science and Technology ，Chair Professor, Hong Kong, China
报告题目：异质宽禁带半导体功率电子技术
Topic：Heterogenous Wide-Bandgap Semiconductor Power Electronics
Hsien-Chin CHIU
长庚大学，教授，中国台湾
Chang Gung University，Professor，Taiwan， China
报告题目：高效 PSU 和射频放大器应用对硅基氮化镓电子器件的性能需求
Topic：The Performance Demands to GaN on Si Electronics devices for High Efficiency PSU and RF Amplifiers Applications
Daniela Gogova
林雪平大学，首席研究员，保加利亚
Linköping University，Principal Research Engineer， Bulgaria
报告题目：开发新一代大功率 Ga2O3材料
Topic：Developing next generation high-power Ga2O3 material
Vinod Nair
Halo Industries,Inc.，销售总监，美国
Halo Industries,Inc.，Head Sales and Marketing，America
YI HE
3M，电子与材料部全球实验室主任，美国
3M Electronics & Materials Solutions Division Global Laboratory Director,America
报告题目：3M 解决方案如何提高 SiC 工艺的产量、稳定性和成本拥有率
Topic：How 3M solution improve yield, stability and cost ownership for SiC process
Yasuto HIJIKATA
琦玉大学 ，教授，日本
Saitama University，Professor，Japan
报告题目：一种嵌入MOS接口色心的SiC单光子发射器件
Topic：A SiC Single-Photon Emitting Device Embedded with the MOS Interface Color Centers
Noriyuki IWAMURO
筑波大学 ，教授，日本
University of Tsukuba，Professor，Japan
报告题目：SiC MOSFETs 研究进展
Topic：Recent Progress of SiC MOSFETs
Hiroshi Kanazawa
Resonac Corporation，SiC研发部总监，日本
Resonac Corporation，Head of SiC Research and Development Department，Japan
报告题目：Resonac SiC外延片研发综述
Topic：Review for Resonac’s SiC Epiwafer Development
JIANBO LIANG
大阪公立大学，教授，中国
Osaka Metropolitan University，Professor，China
报告题目：3C-SiC与多晶金刚石的直接键合技术在高功率GaN器件中的应用
Topic：Direct bonding of 3C-SiC and polycrystalline diamond for high-power GaN device applications
Francis Chi-Chung LING
香港大学，副教授，中国香港
THE UNIVERSITY OF HONG KONG，Associate Professor，Hongkong，China
报告题目：SiC 器件的缺陷工程
Topic：Defect engineering of SiC devices
Josef LUTZ
开姆尼兹工业大学，教授，德国
Chemnitz University of Technology，Professor，Germany
报告题目：SiC MOSFET 体二极管的开关行为和坚固性
Topic：The SiC MOSFET body diode switching behavior and ruggedness
Gourab MAJUMDAR
三菱电机，日本
Mitsubishi Electric Corporation，Japan
Vinod Nair
Halo Industries,Inc.，销售总监，美国
Halo Industries,Inc.，Head Sales and Marketing，America
Hideki Sako
Toray Research Center, Inc.，实验室主任，日本
Toray Research Center, Inc.，Laboratory Chief，Japan
报告题目：利用透射电子显微镜和镜面投影电子显微镜表征SiC晶圆CMP过程中局部引入的抛光损伤
Topic：Characterization of polishing-related damage locally introduced during CMP in SiC wafer using transmission electron microscopy and mirror projection electron microscopy
Tan CheeKeong
香港科技大学（广州），副教授；
广州拓诺稀科技有限公司， 创始人，马来西亚
The Hong Kong University of Science and Technology（Guangzhou），Associate Professor，Malaysia
报告题目：超宽禁带氧化镓化合物薄膜设计与制备
Topic：Ultrawide bandgap gallium oxide compound semiconductor thin film design and epitaxial growth
Yokoo HIDEKAZU
日本爱发科株式会社，技术总监，日本
ULVAC, Inc.，Technical Director，Japan
报告题目：离子注入技术研究
Topic：Regarding SiC ion implantation technology
Yoon Soon Fatt
新加坡国立大学，教授，新加坡
National University of Singapore，Technical Professor， Singapore
报告题目：大晶格失配III-V半导体集成的挑战——材料视角
Topic：Challenges in large lattice-mismatched III-V semiconductors integration – A Materials Perspective
敖金平/Jinping AO
江南大学/教授，中国
Jiangnan University，professor，China
白雨虹/Yuhong BAI
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所/副总师；
Light品牌创始人，《Light: Science & Applications》期刊执行主编
Changchun Institute of Optics, Mechanics and Physics, CAS，Vice President；
Journal of Light: Science&Applications Journal，Executive Editor，China
报告题目：AI时代的出版
Topic：Publishing in the time of AI
暴杰 /Jie BAO
中国第一汽车集团有限公司研发总院 功率电子开发部部长，中国
CHINA FAW GROUP CO., LTD.，Director of Power Electronics Development Department，China
陈立烽/Lifeng CHEN
英飞凌，科技工业功率控制事业部大中华区高级技术总监，中国
Infineon Greater China, Senior Technical Director of Power Control Division， China
陈文杰/Wenjie CHEN
阳光电源股份有限公司，技术总监，中国
SUNGROW，Technical Director， China
报告题目：应用于新能源行业的碳化硅器件并联技术
Topic：SiC mosfet paralleling technology for renewable energy application
孔谋夫/Moufu KONG
电子科技大学，教授，中国
University of Electronic Science and Technology of China，Professor，China
孔 亮 /Liang KONG
青岛中微创芯电子有限公司，董事长，中国
Qingdao Zhongwei Chuangxin Electronics Co., Ltd， Chairman，China
报告题目：塑封碳化硅模块封装工艺
Topic：Packaging process for frame-based silicon carbide modules
雷 云/ Yun LEI
昆明理工大学，教授，中国
Kunming University of Science and Technology，professor，China
黎大兵 /Dabing LI
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，研究员，中国
Changchun Institute of Optics, Mechanics and Physics, CAS，Professor，China
报告题目：AlN基紫外光电材料与器件
Topic：AlN based ultraviolet optoelectronic materials and devices
李培刚 /Peigang LI
北京邮电大学，教授，中国
Beijing University of Posts and Telecommunications，Professor，China
报告题目：超宽禁带半导体氧化镓外延薄膜的制备及应用
Topic：Fabrication and Applications of Ultra-wide Bandgap Semiconductor Ga2O3 Epitaxial films
李晓航/Xiaohang LI
阿卜杜拉国王科技大学（KAUST），副教授，KAUST创新中心副主任，中国
King Abdullah University of Science & Technology（KAUST）， Associate Professor, Deputy Director of the KAUST Innovation Center，China
报告题目：宽禁带金属氧化物半导体——摩尔定律的未来
Topic：Wide Bandgap Metal Oxide Semiconductors for Future of Moore’s Law
林学春/Xuechun LIN
中国科学院半导体研究所，研究员，中国
Institute of Semiconductor, CAS，Professor， China
报告题目：激光精密加工碳化硅技术研究
Topic：Research on Laser Precision Manufacturing Technology of Silicon Carbide
刘春俊/Chunjun LIU
北京天科合达半导体股份有限公司董事、副总经理，中国
TankeBlue Semiconductor Co., Ltd，Director, Deputy General Manager， China
刘国友/Guoyou LIU
功率半导体与集成技术全国重点实验室副主任；中车科学家，中国
Guoyou LIU CRRC Scientist， China
报告题目：SiC功率半导体技术及其进展
Topic：SiC Power Semiconductor technology and Progress
欧 欣 /Xin OU
中国科学院上海微系统与信息技术研究所，研究员，中国
Shanghai institute of Microsystemand Information Technology, CAS，Professor， China
报告题目：异质集成XOI材料与器件技术
Topic：Heterogeneous Integration XOI Materials and Devices
陶绪堂/Xutang TAO
山东大学，教授，中国
Shandong University，Profess
报告题目：氧化镓单晶生长与缺陷研究
Topic：Study on the growth and defects of gallium oxide single crystal
万玉喜/Yuxi WAN
深圳平湖实验室，主任，中国
SHENZHEN PINGHU LABORATORY，Director，China
报告题目：宽禁带半导体功率器件、SiC产业发展与技术挑战
Topic：Wide bandgap semiconductor power devices, SiC industry development and technical challenges
吴会旺/Huiwang WU
河北普兴电子科技股份有限公司，技术总监，中国
HeBei Poshing Electronics Technology Co., Ltd.， Technical Director，China
徐 科 /Ke XU
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，研究员；苏州纳维科技有限公司，董事长，中国
Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,CAS，Professor；Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd.，Chairman，China
许照原/Zhaoyuan XU
进化半导体（深圳）有限公司，总经理，中国
Evolution Semiconductor (Shenzhen) Co., Ltd., General manager，China
袁锋/Frankie YUAN
芯联集成电路制造股份有限公司，联合创始人/芯联动力 董事长，中国
United Nova Technology Co.,Ltd.，Co-Founder /Chairman-UNT Power，China
袁俊/Jun YUAN
九峰山实验室，碳化硅首席专家，中国
JFS Laboratory， Chief Expert of SiC，China
报告题目：两种新型1200V碳化硅沟槽MOSFET器件的研制
Topic：Research on Two novel 1200V Silicon Carbide Trench MOSFET
张金风/Jinfeng ZHANG
西安电子科技大学，教授，中国
Xidian University，Professor，China
报告题目：金刚石辐射探测器级材料制备和器件性能研究
Topic：Research on material fabrication and device performance of diamond radiation detector
张清纯/Qingchun ZHANG
复旦大学，特聘教授；清纯半导体(宁波)有限公司，董事长，中国
Fudan University，Professor；SiCChain Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd., Chairman，China
张锡强/Xiqiang ZHANG
上海磐云科技有限公司，磐云研究院院长，中国台湾
Shanghai Panyun Technology Co.,Ltd.，Director of Panyun Research Institute， Taiwan，China
报告题目：大尺寸电阻加热式碳化硅晶体长晶炉
Topic：Large-size resistance heating type silicon carbide crystal growth furnace
张召富/Zhaofu ZHANG
武汉大学，教授，中国
Wuhan University，Professor，China
周 洋/Yang ZHOU
阿基米德半导体(合肥)有限公司，CTO，中国
AC-SEMI Co.,Ltd.，CTO，China
报告题目：DFX：电力电子器件和模组高良率和极致可靠性协同设计
Topic：DFX：Collaborative Design of High Yield and Ultimate Reliability for Power Electronic Devices and Modules
*（以上排名均按姓氏首字母排序）
（Alphabetically by surname）
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会议赞助 / Sponsorship
截至目前，我们已经获得了许多赞助合作，由衷地感谢各位赞助单位对我们的鼎力支持！
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展位赞助 / Exhibit Booth Sponsorship
展位图/Exhibit Booth Floor Plan
商务合作/Business Cooperation
陈老师 Ms. Chen：86-13155757628
E-mail：lianmeng@iawbs.com
参会报名 / Register
报名方式/Registration
扫码立刻报名
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参会费用/Registration fee
付款方式/Payment method
(1) “公对公”银行转账/Bank：
账户信息：
户 名：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
开户行：北京农商银行北臧村支行
账 号：0905000103000006397
*转账时请备注“APCSCRM+姓名”，并将付款回单发送至apcscrm@iawbs.com。
(2) 会议官网/Website：
参会代表在网站首页点击“报名参会”进行登录，登录后点击左侧导航栏“个人订单”选择对应的注册类型，选择微信、支付宝、银行卡，完成在线付款。
https://apcscrm2024.casconf.cn/
(3) 会议现场/On-site：
会议现场可通过银行卡、微信、支付宝支付。
Payment can be made at the conference site via bank card, WeChat and Alipay.
(4) 发票领取/Invoice pickup:
本次大会提供电子增值税普通发票，名目为“会议费”。
*注：发票信息均按注册时填写内容开具，信息如有更改请及时说明。
酒店住宿 / Hotel Accommodation
深圳坪山格兰云天国际酒店（会议酒店）
Grand Skylight International Hotel
Shenzhen Pingshan (Conference Hotel)
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酒店价格：
高级双床房：788元/晚/间 (含双早)
高级大床房：788元/晚/间 (含双早)
预订截止日期：10月23日
如果有信息订错或者取消，可以致电0755-36359999，会有专人处理预订更改或退款。
X- INN创客栈（周边酒店）
X-INN Chuang Inn
(Hotels around the conference)
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酒店价格：
高级双床房：438元/晚/间 (含双早)
高级大床房：438元/晚/间 (含双早)
预订截止日期：10月23日；
如果有信息订错或者取消，可以致电15118151013，会有专人处理预订更改或退款。
往届花絮/ Previous Highlights
往届出席嘉宾/ Previous Attendees (partial)
*以上排名不分先后
*In no particular order
往届参会企业（部分） / Previous Participants (partial)
*以上排名不分先后
*In no particular order
往届精彩瞬间
往届精彩瞬间 / Previous Photos
会务联系 / Conference contact
商务合作 Business Cooperation
陈老师 Ms. Chen：86-13155757628
E-mail：lianmeng@iawbs.com
征文投稿 Submission
侯老师 Mr. Hou：86-13811837211
E-mail: mishuchu@iawbs.com
参会报名 Participant Registration
周老师 Ms. Zhou：86-17854177403
刘老师 Ms. Liu：86-18931699592
E-mail: apcscrm@iawbs.com
会议信息持续更新，敬请期待！
Stay tuned for continued updates on the conference!
