尽管对于金属样品是直接的，但是对于绝缘体来说，没有通用的解决方案，其中在光电发射期间，正电荷的积累，导致核能级core-level峰结合能BE的不受控制变化。当这些峰用于评估化学键时，由充电引起的位移，导致光谱解释的问题，并导致相同化学状态所报告的结合能BE值中，不可接受的大范围。通常不清楚哪种基准方法应适用于哪种样本类型，以及哪种基准方法应被省略。
近日，瑞典 林雪平大学（Linköping University）Grzegorz Greczynski & Lars Hultman，在Nature Reviews Materials上发表评述文章，回顾了结合能BE基准相关的基本概念和关键实验。讨论了光谱仪有/无电接触的导电和绝缘样品能量图和适当基准水平，并且定义了最终电荷基准方法的标准，以评估常见的基准技术。
最流行的一种方法，即基于外源碳adventitious carbon (AdC)方法，却是最不可靠的。特别是，由于真空水平，在外源碳AdC–样品界面处对齐，因此外源碳AdC的基准C1s峰值的结合能BE，不是恒定的，而是随样品功函数而变化。为了纠正这种情况，建议进行简单的对照实验，以驳斥C1s峰具有常数结合能BE的观点。
还利用能量图的框架，解释了在最常见的实验配置中进行测量时，外源碳AdC-样品界面的真空水平对齐结果。最后，提出了提高化学分析可靠性的想法，以促进新基准标准的发展。
X射线光电子能谱中的结合能基准
文献链接
Greczynski, G., Hultman, L. Binding energy referencing in X-ray photoelectron spectroscopy. Nat Rev Mater (2024).
https://doi.org/10.1038/s41578-024-00743-5
https://www.nature.com/articles/s41578-024-00743-5
本文译自Nature。
来源：今日新材料
声明：仅代表译者观点，如有不科学之处，请在下方留言指正！
