国内集成电路行业领导者—上海贝岭确认参展 | 盖世汽车2024第五届汽车电驱动及关键技术大会

汽车   2024-11-27 12:14   上海  


公司介绍


















上海贝岭公司创建于1988年,是国内集成电路行业的首家中外合资企业。1998年改制上市,是国内集成电路行业首家上市公司。2009年,中国电子信息产业集团有限公司(CEC)成为公司控股股东。2015年,华大半导体成为上海贝岭控股股东,公司实际控制人仍为CEC。

上海贝岭专注于集成电路芯片设计和产品应用开发,拥有国家级企业技术中心,在上海、北京、南京、深圳、成都、西安,无锡等地建有研发中心。截至2023年底,公司累计拥有有效专利数355项,其中发明专利284项;累计拥有有效集成电路布图设计专有权342项,软件著作权89项。

上海贝岭拥有国家级企业技术中心,公司主要产品方向为电源管理、信号链产品和功率器件三大类别,包括了电源管理芯片、数据转换器芯片、电力专用芯片、物联网前端计量芯片、标准信号接口芯片、电机驱动芯片、非挥发存储器及功率器件等细分产品类别。公司围绕汽车电子、工控储能、能效监测、家电、网通与智能终端等应用,为相关客户提供丰富的产品解决方案。

公司在生产运营、质量管理与客户服务方面拥有丰富的实践经验与保障能力。公司倡导绿色环保的发展观念, 2010年开始,公司主动升级产品环保标准,公司产品全部满足ROHS、无卤、REACH等环保标准。公司也高度重视体系建设,公司相继在1993年通过ISO9001认证,2004年通过ISO14001环境管理系列标准,2024年通过了ISO 26262功能安全管理体系ASIL D等认证。

秉持“用芯创造美好生活”的使命,紧跟市场需求与技术发展方向,公司朝着成为国内一流的模拟集成电路和功率器件设计公司的目标不断努力。


产品介绍

一、“IGBT+FRD” 组合1

BLQG200T120是1200V 200A的IGBT DIE,该产品是基于贝岭Trench-FS Gen5技术平台,具有开关损耗低,高可靠性和强短路鲁棒性的特点。其正面采用虚拟trench和有效trench的搭配,来优化器件的电容和电荷参数,实现低开关损耗和快速开关特性。背面才有多次H FS工艺,优化器件的抗EMI能力,同时芯片具有强短路能力。终端采用优化的场板场限环终端,保证器件最高工作结温175℃以及高可靠性。

BLQG200T120特性:

Vce 最低1200V,持续电流200A@100℃,最高脉冲电流400A;

VCE (sat )@Vge=15V,仅1.85V,导通压降低,导通损耗低;

工作结温范围:-40~175℃;

通过AEC-Q101认证,满足车规需求;

BLK105N120 为FRD DIE,该款芯片与IGBT配套,采用寿命控制技术,具有较低的反向恢复电流和反向恢复时间。

BLK105N120特性:

VBR最低1200V,正向导通电流200A@100℃

正向导通压降2.0V@200A,Tc=25℃

工作结温范围:-40~175℃

通过AEC-Q101认证,满足车规需求

“BLQG200T120+ BLK105N120”典型应用:

通过不同的并联封装,可实现在800V平台新能源汽车不同功率的拖动电机驱动


二、“IGBT+FRD” 组合2

BLQG275T75为IGBT DIE,该产品是基于贝岭Trench-FS Gen7 技术平台,具有正向压降小、开关速度快,开关损耗低、高可靠性等特点。其采用第七代微沟槽栅技术,优化了导通压降和开关损耗,实现更好的输出特性及高可靠性。采用优化的多层场截止技术,改善了器件在不同母线电压和栅电阻下的短路表现。采用优化的结终端技术,实现175℃的最高工作温度、高可靠性以及强鲁棒性。

该款芯片完成全面的车规认证,特别为工作频率在5 至20kHz的硬开关电路设计,主要面向新能源汽车应用市场。该芯片针对电动汽车驱动应用特点特别优化损耗分布,优化正温度系数,使得该芯片易于并联使用,保证了产品的易拓展性,可通过不同封装形式满足不同功率等级的应用。

BLQG275T75F特性:

Vce 最低750V,持续电流275A@100℃,最高脉冲电流550A;

VCE (sat )@Vge=15V,仅1.4V,导通压降低,导通损耗低;

工作结温范围:-55~175℃;

通过AEC-Q101认证,满足车规需求;

BLQK275N75 为FRD DIE,该款芯片与IGBT配套,采用寿命控制技术,具有较低的反向恢复电流和反向恢复时间。

BLQK275N75特性:

VBR最低750V,正向导通电流275A@100℃

正向导通压降1.56V@150A,Tc=25℃

工作结温范围-40~175℃

通过AEC-Q101认证,满足车规需求

“BLQG275T75F+ BLQK275N75”典型应用:

以TO-247PLUS 单管封装可广泛应用于最高40kW的汽车主驱逆变器,适合A0级和A00级纯电动汽车。

以HPD等形式的750V IGBT功率模块可广泛应用于最高120kW的汽车主驱逆变器,适合A级纯电动及混合动力汽车。



三、SiC MOSFET系列

BLQC75N120、BLQC40N120、BLQC16N120、BLQC13N120均为N沟道增强型平面MOSFET,采用第三代半导体材料——碳化硅,具有低导通电阻、低电容和栅极电荷、优异的开关性能等优点。与硅相比,该器件可以为电力电子系统应用提供更高的效率、更快的工作频率和更紧凑的系统尺寸。

BLQC75N120特性:

VDS 最低1200V,持续电流40A,3A@100℃,最高脉冲电流80A;

RDS(ON)典型值75mΩ@15V、50mΩ@20V,导通电阻低;

开关损耗低;

工作结温范围:-40~175℃;

100% 雪崩测试;

通过AEC-Q101认证,满足车规需求;

典型应用:

OBC

DCDC

空调电子压缩机

开关电源

BLQC40N120特性:

VDS 最低1200V,持续电流70A,50A@100℃,最高脉冲电流160A;

RDS(ON)典型值40mΩ@15V、26mΩ@20V,导通电阻低;

开关损耗低;

结工作温范围:-40~175℃;

100% 雪崩测试;

通过AEC-Q101认证,满足车规需求;

典型应用:

OBC

DCDC

空调电子压缩机

充电桩

BLQC16N120特性:

VDS 最低1200V,持续电流120A,85A@100℃,最高脉冲电流300A;

RDS(ON)典型值16mΩ@18V、14.5mΩ@20V,导通电阻低;

开关损耗低;

工作结温范围:-40~175℃;

100% 雪崩测试;

通过AEC-Q101认证,满足车规需求;

典型应用:

主驱

OBC

充电桩

BLQC13N120特性:

VDS 最低1200V,持续电流152A,108A@100℃,最高脉冲电流310A;

RDS(ON)典型值13mΩ@18V、10mΩ@20V,导通电阻低;

开关损耗低;

工作结温范围:-40~175℃;

100% 雪崩测试;

通过AEC-Q101认证,满足车规需求;

典型应用:

主驱

OBC

充电桩


四、功率模块系列

BLQGMS820T75FEDL7:

BLQGMS820T75FEDL7是一款非常紧凑的六单元IGBT HPD模块,采用贝岭第7代沟槽栅场阻止层结构;具有极低的Vcesat,正温系数,优化的栅电荷和米勒电容;具有强的抗EMI能力和短路能力。

BLQGMS820T75FEDL7特性:

采用贝岭第7代沟槽栅场阻止层结构;

VCES最低750V,持续电流820A,450A@80℃,最高脉冲电流1640A;

VCE (sat )@Vge=15V,仅1.2V@25℃,具有极低的Vcesat,正温系数,优化的栅电荷和米勒电容;

具有强的抗EMI能力和短路能力

典型应用:

适用于电动汽车和混动汽车的逆变主驱,以及电机驱动等应用。




2、BLGMF600T120FCDS4:

BLGMF600T120FCDS4是基于贝岭第四代先进的沟槽场截止技术(T-FS4)的IGBT半桥模组(E3),并集成了1一个NTC温度传感器。其具有低 VCE(sat) 、优化的开关性能等特点。

BLGMF600T120FCDS4特性:

采用贝岭第4代沟槽栅场阻止层结构;

VCES最低1200V,持续电流1200A,600A@80℃,最高脉冲电流1200A;

VCE (sat )@Vge=15V,仅1.75V@25℃,具有低Vcesat,正温系数,优良的开关性能;

具有高可靠性,强短路能力;


典型应用:

适用于大功率逆变器,风力发电,工业焊机,以及工业UPS系统等应用。

IGBT是适用于电机驱动器、UPS 的器件



会议信息

会议主题盖世汽车2024第五届汽车电驱动及关键技术大会

会议时间:2024年11月27-28日

会议形式:线下会议+视频直播+专题直播

会议规模:线下500+ ,线上15000+



会议议程

*演讲主题及演讲嘉宾会有变动,以终版议程为准


往届回顾

2023第四届汽车电驱动及关键技术大会

时间:2023年12月14-15日

地点:中国 · 上海

规模:600+


2022第三届电驱动及关键技术大会

时间:2022年12月7-8日

地点:中国 · 上海

规模:500+



2021第二届中国汽车动力总成电气化峰会

时间:2021年12月29-30日

地点:中国 · 上海

规模:500+


2020中国汽车动力总成电气化国际峰会

时间:2020年12月03-04日

地点:中国 · 上海

规模:300+


即刻报名

盖世汽车合作客户、主机厂

均可免费参加,不含午餐

主机厂/整车厂,3人及以上组团参会可包含午餐,详情可识别二维码查看


VIP尊贵票:3,099元/位

  • 前3排课桌式席位(带桌卡)

  • 会议期间自助午餐

  • 欢迎午宴,与演讲嘉宾及企业高层一起就餐


企业票:599元/位

  • 剧院式随机座位(仅椅子)

  • 会议期间自助午餐

  • 不提供演讲资料


主机厂免费票

3人以上组团参会(含午餐)

  • 此门票仅面向主机厂/整车厂,3人及以上参加均可包含午餐。

  • 如果统计多人信息比较麻烦,也可将所有参会人信息统计好后发到 conference@gasgoo.com 进行报名。



常见问题


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A:报名成功后系统会自动发送邮件及短信通知,并附专属个人签到码。


Q: 如何签到入场?

A:报名成功后,主办方签到系统已自动生成了您的专属个人<签到二维码>和<6位数签到码>,以短信及邮件的形式发送给您,请于会场签到处出示并签到,报名注册手机号也可用作签到。


Q: 会议是否有视频直播?

A:会议会全程视频直播,您可以在盖世智电产业观察公众号&视频号、盖世汽车社区微信公众号&视频号、盖世汽车APP等平台关注直播。分段回放会后一周左右会发布在盖世汽车资讯网站、盖世智电产业观察微信视频号等渠道。


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